[发明专利]一种多晶硅料酸洗装置在审
申请号: | 201810566683.5 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108570711A | 公开(公告)日: | 2018-09-25 |
发明(设计)人: | 汪伟华 | 申请(专利权)人: | 浙江羿阳太阳能科技有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 杭州赛科专利代理事务所(普通合伙) 33230 | 代理人: | 陈俊波 |
地址: | 313299 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 酸洗 滚筒 多晶硅料 酸洗装置 酸洗槽 多晶硅表面 耐酸泵 喷液管 酸溶液 槽盖 螺带 喷头 充分接触 固定设置 酸洗效果 储液箱 电磁阀 多晶硅 进出料 排料管 酸洗池 正反转 上端 口罩 转轴 冲刷 翻滚 电机 保证 覆盖 | ||
本发明公开了一种多晶硅料酸洗装置,包括槽盖、酸洗槽、电机、电磁阀、第一耐酸泵、第二耐酸泵和储液箱,所述酸洗槽的上端口罩设有槽盖,且酸洗槽内侧设置有水平的酸洗滚筒,所述酸洗滚筒内设置有螺带,且酸洗滚筒的左右两端分别固定设置有转轴和排料管。本发明通过设置的酸洗滚筒进行不断的翻滚保证多晶硅料与酸溶液的充分接触,保证较好的酸洗效果,并且通过设置的螺带能够通过酸洗滚筒的正反转实现酸洗装置的进出料控制,同时本发明通过在酸洗池内侧底部设置的喷液管以及喷液管设置的对个喷头实现了酸溶液对多晶硅表面的冲刷防止多晶硅表面覆盖杂质,使多晶硅酸洗更彻底。
技术领域
本发明涉及多晶硅料生产技术领域,具体是一种多晶硅料酸洗装置。
背景技术
在多晶硅的生产过程中,多晶硅需要进行酸洗将多晶硅上的杂质去处以保证多晶硅的纯度,而多晶硅的酸洗则需要使用酸洗设备,现有的多晶硅酸洗设备不能保证多晶硅与酸溶液的充分接触,酸洗效果不佳,同时杂质在酸溶液中化学反应后残留的杂质会覆盖在多晶硅的表面造成酸洗不彻底影响多晶硅质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种多晶硅料酸洗装置,以解决现有技术中多晶硅酸洗设备酸洗效果不佳和酸洗不彻底影响多晶硅质量的问题。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种多晶硅料酸洗装置,包括槽盖、酸洗槽、电机、电磁阀、第一耐酸泵、第二耐酸泵和储液箱,所述酸洗槽的上端口罩设有槽盖,且酸洗槽内侧设置有水平的酸洗滚筒,所述酸洗滚筒内设置有螺带,且酸洗滚筒的左右两端分别固定设置有转轴和排料管,所述转轴左端穿过酸洗槽的侧壁且通过齿轮啮合与电机连接,所述排料管与酸洗滚筒内腔连通,且排料管出料口设置有密封盖,所述酸洗槽的内侧底部设置有喷液管,且喷液管进液口通过管道与第一耐酸泵连接,所述第一耐酸泵的进液口通过管道与酸洗槽底部连接,所述酸洗槽的右下角通过管道连接有电磁阀,且电磁阀的出液口通过管道连接有出液箱,所述储液箱的左下角通过管道与第二耐酸泵连接,且第二耐酸泵的出液口通过管道与酸洗槽连接。
优选的,所述储液箱内设置有将上下腔隔开的过滤板,所述过滤板外侧为方形边框,且方形边框中间设置有聚四氟乙烯过滤网。
优选的,所述酸洗滚筒为玻璃钢材料制成的网格状滚筒,且酸洗滚筒内侧的螺带为玻璃钢材料制成的网格状螺旋条带。
优选的,所述喷液管上设置有多个均匀排列的喷头,且喷头内孔略小于喷液管的内径。
优选的,所述槽盖与酸洗槽之间设置有密封圈,所述密封盖与排料管之间设置有密封圈。
与现有技术相比,本发明的有益效果是:1、本发明通过设置的酸洗滚筒进行不断的翻滚保证多晶硅料与酸溶液的充分接触,保证较好的酸洗效果,并且通过设置的螺带能够通过酸洗滚筒的正反转实现酸洗装置的进出料控制;2、同时本发明通过在酸洗池内侧底部设置的喷液管以及喷液管设置的对个喷头实现了酸溶液对多晶硅表面的冲刷防止多晶硅表面覆盖杂质,使多晶硅酸洗更彻底,并且通过设置的储液箱能够在多晶硅酸洗结束后将酸洗槽内的酸溶液排空,实现酸洗滚筒内的多晶硅上的酸溶液的控液,避免将酸溶液带出造成污染和腐蚀。
附图说明
图1为本发明一种多晶硅料酸洗装置的剖视图。
图2为本发明一种多晶硅料酸洗装置的结构示意图。
图中:1-槽盖、2-酸洗槽、3-转轴、4-电机、5-酸洗滚筒、6-螺带、7-排料管、8-密封盖、9-电磁阀、10-第一耐酸泵、11-喷液管、12-第二耐酸泵、13-储液箱、14-过滤板。
具体实施方式
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