[发明专利]一种X射线探测器件及其制作方法

权利要求书

1.一种X射线探测器件，其特征在于，包括：

衬底；

底部栅电极，其形成在所述衬底上且位于衬底中间位置；

下栅绝缘层，其形成在底部栅电极上；

沟道半导体层，其形成于下栅绝缘层上且位于底部栅电极顶部；

源电极和漏电极，其形成在下栅绝缘层上且分别位于沟道半导体层左右两侧；

上栅绝缘层，其覆盖在所述沟道半导体层、源电极及漏电极上；

电荷收集电极，其形成在所述上栅绝缘层上且在垂直方向上位于所述源电极及漏电极之间，其在衬底上的投影与底部栅电极有一定交叠；

X射线光电导层，其形成并覆盖于所述电荷收集电极及上栅绝缘层上；

上电极，其形成并覆盖在所述X射线光电导层上，且所述上电极与X射线光电导层的接触为金属欧姆接触或PN结接触或肖特基结接触。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述下栅绝缘层直接地、完整地覆盖在所述底部栅电极及衬底表面上。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述沟道半导体层的宽度大于底部栅电极的宽度且小于下栅绝缘层的宽度。

4.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述源电极及漏电极部分覆盖所述沟道半导体层且与所述底部栅电极具有一交叠区。

5.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：所述电荷收集电极在垂直方向上分别与源电极及漏电极有一交叠区。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：所述X射线光电导层直接覆盖在电荷收集电极上表面上且将电荷收集电极及裸露的上栅绝缘层上表面全部覆盖。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

所述上电极直接地、完整地覆盖在X射线光电导层上表面上。

8.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：

还包括直接地、完整地覆盖在上电极表面的保护层。

9.根据权利要求1～8任一权利要求所述的X射线探测器件，其特征在于：当所述上电极与X射线光电导层的接触为金属欧姆接触时，所述上电极由金、银、铜、铝、钼、镍、氧化铟锡、氧化铟锌或透明导电塑料中的任意一种或多种制成；

当所述上电极与X射线光电导层的接触为PN结接触时，所述上电极由重掺杂半导体材料制成；

当所述上电极与X射线光电导层的接触为肖特基结接触时，所述上电极由金、银、铜、铝、钼、镍、氧化铟锡、氧化铟锌或透明导电塑料中的任意一种或多种制成；其功函数与半导体材料满足形成肖特基结的条件。

10.根据权利要求1～8任一权利要求所述的X射线探测器件，其特征在于：所述沟道半导体层的材料采用单晶硅、非晶硅、多晶硅、金属氧化物半导体或有机半导体材料中的一种或者几种。

11.根据权利要求1所述的X射线探测器件，其特征在于：所述X射线光电导层由选自直接X射线探测材料中的氧化铅、钙钛矿、碘化汞或甲氨碘化铅的任意一种或他们的组合制成。