[发明专利]一种离子注入制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810560498.5 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108570650A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/48;C23C14/06;H01F41/18 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 稀磁半导体薄膜 薄膜 离子注入机 掺杂 共掺杂 磁控溅射设备 溅镀 制备 离子 离子注入源 氩气 衬底表面 传统磁控 溅射靶材 使用效率 无毒无害 真空腔室 可控性 离子源 真空腔 油污 溅射 去除 清洗 室内 转入 金属 | ||
【权利要求书】：
1.一种离子注入制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；
S2、采用磁控溅射设备与离子注入机，以Cu靶与Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室，通入氩气，在衬底上溅镀Cu、Al共掺杂薄膜；
S3、衬底转入离子注入机的真空腔室内，以N2为离子注入源，在Cu、Al共掺杂薄膜上进行N离子注入，得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种离子注入制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，步骤S2 溅镀时Cu靶功率30W，Al靶功率100W，工作气压1.0Pa，Ar流量30sccm，溅射时间25min。
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