[发明专利]一种电阻复用的过流保护电路在审
| 申请号: | 201810559463.X | 申请日: | 2018-06-02 |
| 公开(公告)号: | CN108521119A | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
| 发明(设计)人: | 陈磊 | 申请(专利权)人: | 丹阳恒芯电子有限公司 |
| 主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 212300 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 过流保护电路 电路 核心保护 电阻 复用 偏置电流 偏置电压 限流保护 转换效率 检测 功耗 关断 | ||
本发明公开了一种电阻复用的过流保护电路,包括:一偏置电路,提供偏置电压和偏置电流;一核心保护电路,检测到过流就自动进行限流保护;一自检电路,检测所述核心保护电路是否正常开启。本发明一种过流保护电路具有过流关断功耗小,可靠性高和转换效率高等优点。
技术领域
本发明涉及保护电路领域,特别是涉及一种电路复用的过流保护电路。
背景技术
随着电子技术的飞速发展,DC/DC变换器已广泛应用于各种移动电子系统中,如移动通信终端、便携式电脑、PDA等等。而LDO线性稳压器作为DC/DC变换器的一种,由于其结构简单、成本低廉、噪声低、功耗低及封装尺寸较小等优点,在便携式电子产品中得到广泛应用。
LDO中的过流保护技术一直是影响LDO系统稳定运行的关键。过流保护的目的是为了把输出电流限制在一个固定的范围内,在输出短路或过载时对整个系统或负载进行保护。然而,目前比较常用的过流保护电路都存在一些诸如可靠性、过流关断功耗等问题,限制了这些过流保护电路的应用范围。
发明内容
为克服上述现有技术存在的问题,本发明的主要目的在于提供一种电阻复用的过流保护电路,具有过流关断功耗小,可靠性高,转换效率高,比较电路精度可调整,电阻复用,且具有自检电路等优点。
为解决上述技术问题,本发明是通过以下技术方案实现的:
一种电阻复用的过流保护电路,包括:一偏置电路,提供偏置电压和偏置电流;一核心保护电路,检测到过流就自动进行限流保护;一自检电路,检测所述核心保护电路是否正常开启,并且配合调整其检测精度。
所述偏置电路由第一PMOS管PM1、第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3、第四PMOS管PM4、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2、第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4和第一电阻R1构成;PM1管的源极和PM3管的源极接输入电压VIN,PM1管的栅极和PM3管的栅极接GND,PM1管的漏级和PM2管的源极相连接,PM3管的漏级和PM4管的源极相连接,PM2管的栅极与PM4管的栅极、PM2管的漏极、NM2管的漏极和NM2管的栅极相连接;NM2管的源极与NM1管的漏极相连;PM4管的漏极与NM4管的栅极和NM4管的漏极相连接;NM4管的源极与NM1管的栅极、NM3管的栅极和NM3管的漏极相连接;NM1管的源极连接电阻R1的一端;电阻R1的另一端和NM3管的源极都接地。
所述核心保护电路由第五PMOS管PM5、第六PMOS管PM6、第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8、第九PMOS管PM9、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11、第十二PMOS管PM12、第十三PMOS管PM13、第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第一电容C1,第四电阻R4和第五电阻R5;PM5管的源极、PM7管的源极、PM9管的源极、PM11管的源极、PM12管的源极和PM13管的源极都连接到输入电压VIN;PM5管的栅极接输入控制信号CT5,PM5管的漏极连接PM6管的源极;PM6管的栅极与PM2管的栅极、PM8管的栅极和PM10管的栅极相连接;PM6管的漏极与PM8管的漏极、PM10管的漏极、NM5管的漏极和PM12管的栅极相连接;PM7管的栅极连接输入控制信号CT1;PM7管的漏极连接PM8管的源极;PM9管的栅极连接输入控制信号CT2;PM9管的漏极连接PM10管的源极;PM11管的栅极与PM12管的漏极、PM13管的栅极和电容C1的一端相连接;PM11管的漏极连接NM6管的栅极、NM6管的漏级、NM5管的栅极和电阻R4的一端,其节点标注为A;PM13管的漏极连接电阻R5一端,其节点作为输出端VOUT;电容C1的另外一端、电阻R4的另外一段和电阻R5的另外一端连接在一起;NM5管的源极和NM6管的源极都接地。
所述的偏置电路,其特征在于PM1管和PM3管的栅极接地,可以提高电流镜像的准确性,减小偏置电流和偏置电压的误差。
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