[发明专利]窄的有源单元IE型沟槽栅极IGBT及其制造方法

说明书

本发明的实施例涉及窄的有源单元IE型沟槽栅极IGBT及其制造方法。在等宽有源单元IE型IGBT、宽有源单元IE型IGBT等中，有源单元区域在沟槽宽度方面等于无源单元区域，或者无源单元区域的沟槽宽度更窄。因此，相对易于确保击穿电压。然而，采用该结构，试图增强IE效应引起诸如结构复杂化之类的问题。本发明提供了一种窄的有源单元IE型IGBT，具有有源单元二维薄化结构，并且不具有用于接触的衬底沟槽。

本申请是于2013年6月9日提交的申请号为201310240332.2、名称为“窄的有源单元IE型沟槽栅极IGBT及其制造方法”的中国发明专利申请的分案申请。

相关申请的交叉引用

于2012年6月11日提交的日本专利申请No.2012-131915的包括说明书、附图和摘要的公开内容在此通过引用整体并入本文。

技术领域

本发明涉及一种半导体器件(或半导体集成电路器件)，以及一种制造半导体器件(或半导体集成电路器件)的方法。更具体而言，本发明涉及一种可有效应用于IGBT器件技术的技术以及用于制造IGBT的方法。

背景技术

日本未审查专利公开Hei 11(1999)-345969(专利文献1)涉及一种具有等距沟槽的等宽有源单元IE(注入增强)型IGBT(集成栅极双极晶体管)。该文献在文中公开了一种器件结构，其中P+本体接触区域最终将N+型发射极区域沿着纵向划分(所谓“有源单元二维薄化结构”)。

日本未审查专利公开案号2005-294649(专利文献2)涉及一种宽有源单元IE型IGBT，其中有源单元区域中的沟槽间隔大于无源单元区域中的沟槽间隔。该文献在文中公开了一种在无源区域下方的相对侧面上设置延伸至沟槽底端的浮置P型区域的技术。顺带提及，在该文献中，在沟槽形成之后，与P型本体区域同时引入浮置P型本体区域。

专利文献

[专利文献1]日本未审查专利公开案号Hei 11(1999)-345969

[专利文献2]日本未审查专利公开案号2005-294549

发明内容

在等宽有源单元IE型IGBT、宽的有源单元IE型IGBT等等中，有源单元区域与无源区域中的沟槽宽度彼此相等，或者无源单元区域中的沟槽宽度稍窄。因此，可以相对容易地确保击穿电压。然而，采用这种结构，试图增强IE效应不期望地进一步使得结构复杂，并且引起其他问题。

以下将描述用于解决这种问题的装置等等。由该说明书以及附图将明晰其他问题和新颖特征。

以下将简述本发明中公开的一个代表性本发明的发明内容。

也即，本发明的一个实施例的发明内容是具有有源单元二维薄化结构的窄的有源单元IE型IGBT，并且其中在垂直于衬底表面的截面中并未设置穿过发射区域并且垂直于相对侧上的沟槽的本体接触区域。

以下将简述由本发明中公开的一个代表性实施例所获得的效果。

也即，根据本发明的一个实施例，可以增强IE效应但是避免使器件结构过度复杂。

附图说明

图1是窄的有源单元IE型沟槽栅极IGBT器件芯片的单元区域及其外围的顶部示意布局图，以用于示出本发明主要实施例(包括修改示例)的窄的有源单元IE型沟槽栅极中的器件结构的外形；

图2是对应于图1的单元区域端部切断(cut-out)区域R1的A-A'截面的器件示意性剖视图；

图3是对应于图1的单元区域内部切断区域R2的B-B'截面的器件示意性剖视图；

图4是根据本发明一个实施例的图1的线性装置单元区域及其外围R5的放大顶视图；