[发明专利]原位无损剥离量子点的方法有效
| 申请号： | 201810556681.8 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108751254B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 石震武;缪力力;杨琳韵;杨新宁;彭长四 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | C01G28/00 | 分类号： | C01G28/00;C01G30/00;C01B21/06;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 杨慧林 |
| 地址： | 215131 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 原位 无损 剥离 量子 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种原位无损剥离量子点的方法，其特征在于，该方法在分子束外延系统中进行，包括以下步骤：
将表面负载有量子点的衬底升温至量子点的临界脱附温度，其中，所述量子点为Ⅲ-Ⅴ族量子点，所述衬底的材质为Ⅲ-Ⅴ族化合物，所述量子点的键能低于衬底中化合物的键能；然后向所述量子点施加脉冲激光，使得量子点中的原子受激发后从所述衬底表面原位无损剥离；所述分子束外延系统中充满Ⅴ族气体，所述Ⅴ族气体的气压为8.0×10-6到8.0×10-7Torr；所述临界脱附温度为510-530℃；所述脉冲激光的波长为355nm，脉宽为10ns；所述脉冲激光的能量为10-20mJ。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述量子点为InAs量子点，所述衬底的材质为GaAs；或
所述量子点为InSb量子点，所述衬底的材质为AlSb、GaSb、AlAs或GaAs；或
所述量子点为InN量子点，所述衬底的材质为AlN或GaN。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述量子点为InAs量子点，所述衬底的材质为GaAs。
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