[发明专利]增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备

说明书

本发明涉及增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备，该方法包括获取系统温度；获取系统所处状态；根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；若否，则进入下一步骤；驱动系统响应请求。本发明通过在系统处于不同状态下，监测系统温度，当系统温度满足低温设定条件时，通过不断访问器件以提高系统温度，使温度处于正常的工作温度之内，以实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。

技术领域

本发明涉及固态硬盘，更具体地说是指增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备。

背景技术

NAND Flash和DRAM作为SSD(即固态硬盘)的主要存储介质，SSD的工作温度主要取决于这两类器件，其中商业级的NAND Flash和DRAM工作低温一般都是在0℃，实际商业级SSD(固态硬盘)使用环境，不可避免地低于0℃。

如图1所示，SD组成如下：主控作为控制运算单元，管理SSD内部系统；NAND Flash阵列作为存储单元，存储数据，包括用户数据和系统数据；DRAM作为缓存，算法表存储单元；以及其他外围单元。

如图2所示，典型的NAND Flash组成如下：可独立并发操作的单元DIE，DIE包括若干可独立擦除单元，使用前必须要将整个擦除单元擦除；擦除单元包括若干读写单元，“坏块”指由于可靠性等原因，永久性不能使用的擦除单元。

对于商业级的NAND Flash和DRAM工作低温一般都是在0℃以及实际商业级SSD(固态硬盘)使用环境不可避免地低于0℃，现有传统的处理方法都是通过在低温时降低对NANDFlash的访问速度和频率来减少错误的发生。如图3所示，通过降频的方法，来减少SSD系统包括NAND Flash自身工作产生的温度，从而减弱温度的影响；同时可能采用增加内部延时的方法，减少对NAND Flash访问速度，从而减少发生错误的概率；但是读写操作并不关联温度相关的判断条件，且如NAND或者DRAM对低温敏感，那么此类方法是无法增强SSD本身的鲁棒性，容易导致SSD的可靠性较低以及容易出错。

因此，有必要设计一种方法，实现增强固态硬盘的低温鲁棒性，提高SSD的可靠性。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供增强固态硬盘低温鲁棒性的方法、装置及计算机设备。

为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：增强固态硬盘低温鲁棒性的方法，所述方法包括：

获取系统温度；

获取系统所处状态；

根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件；

若是，则根据系统所处状态对系统进行自热处理，并进入下一步骤；

若否，则进入下一步骤；

驱动系统响应请求。

其进一步技术方案为：根据系统所处状态判断系统温度是否满足设定条件的步骤，包括以下具体步骤：

判断系统所处状态是否启动状态；

若系统所处状态是启动状态，则判断系统温度是否低于设定阈值；

若系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；

若系统温度不低于设定阈值，则系统温度不满足设定条件；

若系统所处状态不是启动状态，则判断系统温度是否处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值；

若系统温度处于下降趋势且当前系统温度低于设定阈值，则系统温度满足设定条件；

若否，则系统温度不满足设定条件。