[发明专利]自分子簇化合物合成金属氧化物半导体纳米粒子

权利要求书

1.一种纳米粒子，所述纳米粒子包含：

包含第IIB族金属的金属氧化物晶体核；和

分子簇化合物，所述分子簇化合物包含来自周期表第IIB族和第VIA族的元素，其中

所述金属氧化物晶体核布置在所述分子簇化合物上并在其上形成层。

2.根据权利要求1所述的纳米粒子，所述纳米粒子还包含一个或多个设置在所述金属氧化物晶体核上的半导体材料的层。

3.根据权利要求2所述的纳米粒子，其中所述半导体材料选自由以下各项组成的组：MgS、MgSe、MgTe、CaS、CaSe、CaTe、SrS、SrSe、SrTe、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe、Zn₃N₂、Zn₃P₂、Zn₃As₂、Cd₃N₂、Cd₃P₂、Cd₃As₂、BN、BP、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、B₄C、Al₄C₃、Ga₄C、Al₂S₃、Al₂Se₃、Al₂Te₃、Ga₂S₃、Ga₂Se₃、Ga₂Te₃、In₂S₃、In₂Se₃、In₂Te₃、PbS、PbSe、PbTe、SnS、SnSe、SnTe、NiS、CrS、CuInS₂、CuInSe₂、AgInS₂或其掺杂材料。

4.根据权利要求1所述的纳米粒子，所述纳米粒子还包含由帽化配体构成的最外层，所述帽化配体选自由以下各项组成的组：膦类、氧化膦类、烷基膦酸类、烷基胺类、芳基胺类、吡啶类、硫醇类、长链脂肪酸类和噻吩类。

5.一种墨水组合物，所述组合物包含：

溶剂；和

多个纳米粒子，所述多个纳米粒子各自包含：

包含第IIB族金属的金属氧化物晶体核；和

分子簇化合物，所述分子簇化合物包含来自周期表第IIB族和第VIA族的元素，其中

所述金属氧化物晶体核在所述分子簇化合物上生长并且在其上形成层。

6.根据权利要求5所述的墨水组合物，其中所述分子簇化合物和所述金属氧化物晶体核都包含相同的第IIB族金属和氧。

7.根据权利要求5所述的墨水组合物，其中所述分子簇化合物不包含氧。

8.根据权利要求5所述的墨水组合物，其中所述分子簇化合物不包含与所述金属氧化物晶体核的金属相同的第IIB族金属。

9.根据权利要求5所述的墨水组合物，其中所述纳米粒子还包含由帽化配体构成的最外层，所述帽化配体选自由以下各项组成的组：膦类、氧化膦类、烷基膦酸类、烷基胺类、芳基胺类、吡啶类、硫醇类、长链脂肪酸类和噻吩类。

10.一种用于形成第IIB族金属氧化物纳米粒子的方法，所述方法包括使所述金属氧化物纳米粒子在II-VI分子簇化合物存在下生长，其中所述分子簇化合物的第II族金属不是与所述金属氧化物的第IIB族金属相同的第II族金属，并且其中所述分子簇化合物的第VI族原子不是氧。