[发明专利]用于感测元件的氧化铝扩散阻挡体

权利要求书

1.用于温度感测器的感测元件，包括：

基材；

施加于所述基材的铂迹线或铂弯曲体；

具有芯片焊盘的引线，其与所述铂迹线或铂弯曲体电连接；

覆盖所述铂迹线或铂弯曲体的第一氧化铝扩散阻挡体ADB，以提供抵抗污染的保护和结构稳定性，其中第一氧化铝扩散阻挡体是连续的多晶层，其由氧化铝和以重量计约1％的金红石或锐钛矿添加剂制成以基本避免网状孔隙。

2.根据权利要求1所述的感测元件，还包括：

施加在所述ADB上的第一玻璃层；

施加于所述玻璃层的第二氧化铝扩散阻挡体；

施加于所述第二氧化铝扩散阻挡体的第二玻璃层；

施加于所述第二玻璃层的盖板；

施加于所述盖板的固定玻璃；以及

包封所述基材、铂迹线或铂弯曲体、引线、玻璃层、氧化铝扩散阻挡体、盖板和固定玻璃的壳体。

3.根据权利要求1所述的感测元件，其中所述金红石或锐钛矿添加剂为高反应性的纳米TiO₂形式。

4.制造用于温度感测元件的氧化铝扩散阻挡体的方法，所述温度感测元件具有在基材上的铂弯曲体，所述方法包括以下步骤：

将纳米氧化铝和纳米金红石粉末组合以形成配制物；

将所述配制物施加于铂弯曲体以形成层；以及

烧结所述层以产生覆盖所述基材上的铂弯曲体的连续的多晶层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述纳米氧化铝粉末和纳米金红石基本上由尺寸典型地小于150nm的颗粒组成。

6.根据权利要求4所述的方法，其中还包括以下步骤：将烧结促进剂、少量的烧结玻璃和氧化镁(MgO)中的至少一种与所述配制物组合。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述金红石与氧化镁的比例为2:1。

8.根据权利要求4所述的方法，其中所述配制物由高剪切速率的行星球磨工艺来制备。

9.根据权利要求4所述的方法，其中所述配制物使用沉积工艺来施加。

10.根据权利要求4所述的方法，其中所述层为约2μm厚。

11.根据权利要求4所述的方法，其中所述烧结在1250-1350℃之间。

12.根据权利要求4所述的方法，其中所述基材选自由氧化铝(Al₂O₃)和钛酸镁(MgTiO₃)组成的组。

13.用于感测元件的扩散阻挡体，所述感测元件具有铂弯曲体，所述扩散阻挡体由连续的多晶层组成，所述连续的多晶层由氧化铝和以重量计约1％的金红石添加剂制成以基本上避免网状孔隙。

14.根据权利要求13所述的扩散阻挡体，其中所述连续的多晶层包括具有在0.5-3μm范围内的典型晶粒尺寸的晶粒。

15.根据权利要求13所述的扩散阻挡体，其中所述连续的多晶层为至少2μm厚。