[发明专利]一种原位双层包覆硅碳负极材料及其制备方法

权利要求书

1.一种原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法，其特征在于,包括如下步骤：

1)将粒度D₅₀≤100nm的亚微米级硅、含有羟基的有机溶剂和可溶于有机溶剂的有机碳源加入充满惰性气体气氛的密闭搅拌容器中，原位预反应得到浆料I，预反应时间为4h～8h；

2)将所述浆料I在惰性气氛中进行喷雾干燥，得到物料II，喷雾干燥温度为80～100℃；

3)将所述物料II在惰性气氛中进行低温焙烧，得到物料III，焙烧温度为350～400℃；

4)将所述物料III进行粉碎，得到物料IV，粉碎后粒度≤1μm；

5)将所述物料IV和石墨类负极进行混合，得到物料V；

6)将所述物料V惰性气氛中进行高温焙烧，焙烧温度为900～1000℃，焙烧时间为2h～8h，得到物料VI，经粉碎、过筛后即得到最终原位双层包覆硅碳负极材料。

2.根据权利要求1所述原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中搅拌容器内的温度为60～70℃，搅拌速度为200～300转/分钟 ，预反应时间为2h～4h。

3.根据权利要求1所述原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中有机溶剂为甲醇和乙醇中的一种；有机碳源为聚乙二醇和聚乙烯吡咯烷酮中的一种。

4.根据权利要求1所述原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中亚微米硅质量/有机溶剂质量＝1/4～1/3，有机碳包覆硅的碳质量含量为2％～5％。

5.根据权利要求1所述原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中所述石墨为人造石墨和天然石墨中的一种。

6.根据权利要求1所述原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1)、2)、3)、6)中所述惰性气氛为氮气气氛、氦气气氛和氩气气氛中的任意一种。

7.如权利要求1～6任一项所述原位双层包覆硅碳负极材料的制备方法制得的原位双层包覆硅碳负极材料。