[发明专利]有机发光显示面板及显示装置有效

专利信息
申请号: 201810552680.6 申请日: 2018-05-31
公开(公告)号: CN108470840B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 程爽;王湘成;牛晶华;朱晴;张治;王建云;林君 申请(专利权)人: 上海天马有机发光显示技术有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L27/32
代理公司: 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 代理人: 王刚;龚敏
地址: 201201 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示 面板 显示装置
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:

阵列基板,所述阵列基板包括多个驱动元件;

与所述驱动元件对应设置的有机发光器件,所述有机发光器件包括阳极和阴极,以及位于所述阳极和所述阴极之间的有机功能层,所述有机功能层包括有机发光层,和位于所述阴极与所述有机发光层之间的第一电子传输层,所述第一电子传输层包括第一掺杂剂,所述第一掺杂剂包括碱土金属元素或者稀土金属元素;

所述有机发光器件还包括第二电子传输层,所述第二电子传输层位于所述第一电子传输层与所述有机发光层之间,所述第二电子传输层中不含所述第一掺杂剂,且所述第一电子传输层中电子传输基质的最低未占据轨道能级LUMO1与所述第二电子传输层中电子传输基质的最低未占据轨道能级LUMO2之间满足:|LUMO1-LUMO2|<0.18eV;

所述第二电子传输层中电子传输基质的最高占据轨道能级HOMO2与所述有机发光层的主体材料的最高占据轨道能级HOMO3之间满足:|HOMO2-HOMO3|<1eV,且在至少一所述有机发光器件中,所述第二电子传输层中电子传输基质的最高占据轨道能级HOMO2与所述有机发光层的主体材料的最高占据轨道能级HOMO3之间满足:|HOMO2-HOMO3|>0.2eV;

所述第一电子传输层中电子传输基质的最高占据轨道能级HOMO1与所述第二电子传输层中电子传输基质的最高占据轨道能级HOMO2之间满足:0<|HOMO1-HOMO2|<0.8eV;

所述第二电子传输层中电子传输基质的最低未占据轨道能级LUMO2与所述有机发光层的主体材料的最低未占据轨道能级LUMO3之间满足:|LUMO2-LUMO3|<0.8eV。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,

所述第二电子传输层的厚度d范围为:2nm<d<60nm。

3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,

在垂直于所述有机发光显示面板的方向上,所述第一电子传输层的厚度大于所述第二电子传输层的厚度。

4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第一电子传输层中所述第一掺杂剂的掺杂体积比范围为:0.5%~7%。

5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第二电子传输层中的电子迁移率Em与空穴迁移率Hm之间满足:Em>Hm·100。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,

所述第二电子传输层中电子传输基质的材料与所述第一电子传输层中电子传输基质的材料相同。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,

所述第二电子传输层中电子传输基质的材料与所述第一电子传输层中电子传输基质的材料不同。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,

所述有机发光器件还包括第三电子传输层,所述第三电子传输层位于所述第一电子传输层与所述第二电子传输层之间,所述第三电子传输层中所述第一掺杂剂的掺杂浓度小于所述第一电子传输层中所述第一掺杂剂的掺杂浓度。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示面板,其特征在于,所述第三电子传输层中靠近所述第一电子传输层的一侧的所述第一掺杂剂的掺杂浓度大于所述第三电子传输层中远离所述第一电子传输层的一侧的所述第一掺杂剂的掺杂浓度。

10.根据权利要求8所述的有机发光显示面板,其特征在于,

所述第三电子传输层中电子传输基质的材料与所述第一电子传输层中电子传输基质的材料相同;

或者所述第三电子传输层中电子传输基质的材料与所述第二电子传输层中电子传输基质的材料相同。

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