[发明专利]液晶配向膜的制造方法及液晶显示元件

说明书

本发明提供一种液晶配向膜的制造方法以及液晶显示元件。在上述方法中，将利用特定制法所得的具有特定组成的液晶配向剂涂布于薄膜电晶体基材上形成预涂层，之后使预涂层经过预先加热处理、后加热处理及配向处理而制得具有适当的阻抗光安定性的液晶配向膜。上述薄膜电晶体基材包含材料为氧化铟镓锌的主动层。包含利用上述方法所制得的液晶配向膜的液晶显示元件，具有良好的积蓄电荷消除性。

技术领域

本发明是有关于一种液晶配向膜的制造方法以及液晶显示元件，且特别是有关于一种设于包含氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide；IGZO)的主动层的薄膜电晶体基材上的液晶配向膜的制造方法以及液晶显示元件。

背景技术

近年来，新的液晶显示元件的开发蓬勃发展，其中，例如业界开发出液晶显示元件，其借由单侧基板上以栉齿状方式配置两个电极来驱动液晶，使基板表面产生平行电场，以控制液晶分子。上述液晶显示元件一般被称为横向电场效应型(IPS型)，已知其具有出色的广视角特性。然而，上述IPS型液晶显示元件仍有因离子密度过高而产生残影的问题。

日本专利特开第2006-259716号公报揭示一种低离子密度的液晶配向膜及一种用以制备液晶配向膜的含哌嗪(piperazine)结构的二胺化合物。通过使用含哌嗪结构的二胺化合物，所制得的配向膜可改善离子密度过高的问题。然而，上述液晶配向剂所制得的液晶配向膜应用于IPS型液晶显示元件时，仍有积蓄电荷消除缓慢，导致残留电荷过高，进而生成残影的问题。由上述可知，为了符合目前IPS型液晶显示器业者的要求，提供一种可形成积蓄电荷消除性佳的液晶显示元件的液晶配向膜，以及用以形成液晶配向膜的液晶配向剂，为本技术领域者努力研究的目标。

发明内容

因此，本发明的一态样在于提供一种液晶配向膜的制造方法，其是在包含氧化铟镓锌(Indium Gallium Zinc Oxide；IGZO)的主动层的薄膜电晶体基材上，涂覆以特定制造方法所得的具有特定组成的液晶配向剂以形成液晶配向膜。特别是，本发明的特征在于上述液晶配向膜具有特定阻抗光安定性，以制得具有良好积蓄电荷消除性的液晶显示元件。

本发明的另一态样在于提供一种液晶显示元件，其是包含利用上述的液晶配向膜的制造方法所制得的液晶配向膜。

请参考图1，其绘示本发明的一实施例所述的检测单元100的示意图。本发明的阻抗光安定性是借由下述的测量方法来进行：(1)首先，组装检测单元100。检测单元100是由基板110、画素电极120及上述液晶配向膜130所组成，其中画素电极120以栉齿型图案化的方式形成于基板110的表面，且液晶配向膜130形成在画素电极120的表面；(2)接着，使用离子密度测定系统东阳科技股份公司(TOYO corporation)制；型号为6254型)，将频率设为0.01Hz、振幅设为10V的电压，以上述检测单元100中所流通的电流及相对应的电压，测量检测单元100的第一阻抗R_i，其中上述电流为3.16nA，且上述测量是在23℃的温度和50％的湿度的环境下进行；(3)然后，以照度6mW/cm²的背光单元照射上述检测单元100达300秒，并测量第二阻抗R_f，其中该背光单元是白色发光二极管，且该白色发光二极管具有发光光谱的主峰值范围为430nm～500nm的芯片发光层，及光致发光萤光体；该芯片发光层的构成材料是择自于氮化物系化合物半导体、III-V族系化合物半导体、II-IV族系化合物半导体、IV-VI族系化合物半导体，或此等组合；(4)以及，利用下式(1)计算而得阻抗光安定性(△R^UV)：

△R^UV＝R_i-R_f 式(1)。

其中该液晶配向膜的阻抗光安定性(△R^UV)小于500GΩ，较佳小于400GΩ，更佳小于300GΩ。

若液晶配向膜的阻抗光安定性不为上述的范围时，所制得的液晶显示元件的积蓄电荷消除性不佳。