[发明专利]一种特高频局放信号模拟装置

权利要求书

1.一种特高频局放信号模拟装置，其特征在于，包括微处理芯片、信号发生器、驱动放大电路、恒压源、充电电阻、放电电阻、第一继电器、第二继电器、电容，其中，

所述的微处理芯片的输出端与信号发生器的输入端电连接；

所述的信号发生器的输出端与驱动放大电路的输入端电连接；

所述的驱动放大电路的输出端与第一继电器的控制端电连接；

所述的驱动放大电路的输出端与第二继电器的控制端电连接；

所述的第一继电器的动作逻辑与第二继电器动作逻辑相反；

所述的恒压源的输出端与充电电阻的一端电连接；

所述的充电电阻的另一端与第一继电器的开关侧的一端电连接；

所述的第一继电器的开关侧的另一端与电容的一端电连接；

所述的电容的另一端接地；

所述的第一继电器的开关侧的另一端与第二继电器的开关侧的一端电连接；

所述的第二继电器的开关侧的另一端与放电电阻的一端电连接；

所述的放电电阻的另一端接地。

2.根据权利要求1所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的特高频局放信号模拟装置设置在GIS绝缘盆的传感器内或GIS设备内部。

3.根据权利要求1或2所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的驱动放大电路包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第一二极管、第二二极管、NPN三极管、PNP三极管，其中，

所述的第一二极管的阴极作为驱动放大电路的输入端，第一二极管的阳极与第二电阻的一端电连接；

所述的第二电阻的另一端与NPN三极管的基级电连接；

所述的第二电阻的另一端与第一电阻的一端电连接；

所述的第一电阻的另一端接正电源；

所述的NPN三极管的集电极接正电源；

所述的NPN三极管的发射极与PNP三极管的发射极电连接，NPN三极管的发射极作为驱动放大电路的输出端；

所述的第一二极管的阴极与第二二极管的阳极电连接；

所述的第二二极管的阴极与PNP三极管的基极电连接；

所述的第二二极管的阴极与第三电阻的一端电连接；

所述的第三电阻的另一端接负电源；

所述的PNP三极管的集电极接负电源。

4.根据权利要求3所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的电容是是瓷片电容。

5.根据权利要求1、2或4所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的恒压源要求输出电压大于100V，输出电流大于1A。

6.根据权利要求5所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的第一继电器和第二继电器是5V继电器。

7.根据权利要求1、2或4所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的第一继电器和第二继电器是5V继电器。

8.根据权利要求1、2、4或6所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的信号发生器是ICL8038。

9.根据权利要求7所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的信号发生器是ICL8038。

10.根据权利要求5所述的特高频局放信号模拟装置，其特征在于，所述的信号发生器是ICL8038。