[发明专利]具有小的机械张力的多晶材料和用于产生多晶材料的方法

权利要求书

1.具有小的机械张力的多晶材料(5)，其中，所述多晶材料(5)包括第一类型(1)的一个或多个层和第二类型(2)的一个或多个层，其中，所述第一类型(1)的层和所述第二类型(2)的层分别具有至少一种多晶材料组分，其特征在于，所述第一类型(1)的层相比于所述第二类型(2)的层具有较小的平均晶粒尺寸，其中，所述第一类型(1)的层和所述第二类型(2)的层以交替的顺序至少部分相叠地布置。

2.根据权利要求1所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，所述第一类型(1)和所述第二类型(2)的分别相邻的层至少部分彼此直接接触地构造。

3.根据权利要求1或2所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，晶粒尺寸在所述第一类型(1)的至少一个层和与所述第一类型(1)的所述层相邻的所述第二类型(2)的层之间的边界上连续地或突然地变化，其中，晶粒尺寸尤其在所述第一类型(1)的所有层和所述第二类型(2)的分别相邻的层之间的边界上连续地或突然地变化。

4.根据前述权利要求中任一项所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，在所述第一类型(1)的层内部晶粒尺寸沿优选方向减小或增大或者首先减小然后增大，其中，尤其在所述第二类型(2)的层内部晶粒尺寸沿优选方向减小或增大或者首先减小然后增大。

5.根据前述权利要求中任一项所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，所述第一类型(1)的层和所述第二类型(2)的层分别构造为封闭层。

6.根据前述权利要求中任一项所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，所述多晶材料组分是多晶硅。

7.根据前述权利要求中任一项所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，所述多晶材料(5)布置在衬底(6)上，尤其布置在晶片或芯片上，优选布置在所述衬底(6)的分离层(7)上。

8.根据前述权利要求中任一项所述的具有小的机械张力的多晶材料(5)，其特征在于，所述多晶材料(5)包括所述第一类型(1)的多个层和所述第二类型(2)的多个层，其中尤其是，所述第一类型(1)的一个层和所述第二类型(2)的一个层分别以交替的顺序相叠地布置。

9.用于产生具有小的机械张力的多晶材料(5)的方法，其中，存在至少一个用于使第一类型(1)的层和第二类型(2)的层沉积和/或生长的器件，其中，所述多晶材料(5)包括第一类型(1)的一个或多个层和第二类型(2)的一个或多个层，其中，所述第一类型(1)的层和所述第二类型(2)的层分别具有至少一种多晶材料组分，其特征在于，所述第一类型(1)的层相比于所述第二类型(2)的层具有较小的平均晶粒尺寸，其中，所述第一类型(1)的层和所述第二类型(2)的层以交替的顺序至少部分相叠地布置。

10.根据权利要求9所述的用于产生多晶材料(5)的方法，其特征在于，用于沉积和/或生长的所述器件具有至少一个腔，其中，所述第一类型(1)的层和所述第二类型(2)的层的沉积和/或生长在所述腔中发生，其中，使用至少一种初始气体用于使所述第一类型(1)的层和/或所述第二类型(2)的层生长和/或沉积，其中，用于沉积和/或生长的所述器件尤其包括外延设备。

11.根据权利要求9或10所述的用于产生多晶材料(5)的方法，其特征在于，在所述第一类型(1)的层的沉积和/或生长期间在所述腔中存在与在所述第二类型(2)的层的沉积和/或生长期间不同的温度。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的用于产生多晶材料(5)的方法，其特征在于，为了使所述第一类型(1)的层沉积和/或生长而使用与为了使所述第二类型(2)的层沉积和/或生长不同的初始气体。