[发明专利]OLED发光器件及OLED显示装置有效
申请号: | 201810550489.8 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108538905B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 袁涛 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 发光 器件 显示装置 | ||
本发明提供一种OLED发光器件,包括衬底、薄膜晶体管、阳极、有机发光层、阴极以及平滑层;其中,所述平滑层形成于所述有机发光层与所述阴极之间。本发明还提供一种OLED显示装置,包括所述OLED发光器件。有益效果:本发明提供的OLED发光器件及OLED显示装置通过设置平滑层,使阴极在较薄的厚度下获得光滑平坦的表面,降低了阴极的电阻,提高了阴极的透过率,进而提高了OLED发光器件的发光效率。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED发光器件及显示装置。
背景技术
与传统的TFT-LCD(thin film transistor-liquid crystal display,薄膜晶体管液晶显示器)技术相比,OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光器件)具有可做成柔性器件的优势,应用范围更广。OLED按照驱动方式可分为无源OLED和有源OLED两种。无源OLED在显示过程中,需要较高的电流和电压,从而导致功耗增加,最终导致显示效率急剧降低,在大面积显示中的应用受到了限制。有源OLED采用薄膜晶体管驱动,对各个像素单独点亮,具有亮度高、分辨率高、功耗低、易于实现色彩化和大面积显示等优点,是现在普遍采用的方法。
目前常用的有源OLED发光器件包括:基板、ITO(Indium Tin Oxides,氧化铟锡)阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子注入层、电子传输层、阴极。OLED发光器件采用顶发光,需要阴极具有较好的透过性。为了提高阴极的透过率,则需要降低阴极的厚度,但阴极厚度的降低则会导致阴极的电阻增大。
综上所述,需要一种新的OLED发光器件来解决现有的OLED发光器件中存在的降低阴极厚度而导致阴极电阻增大的问题。
发明内容
本发明提供一种OLED发光器件,在提高OLED阴极的透过率的同时也能降低阴极电阻,以解决现有的OLED发光器件通过降低阴极厚度的方式来提高阴极透过率,从而导致阴极电阻增大的问题,
为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
一种OLED发光器件,至少包括:衬底;薄膜晶体管,形成于所述衬底上;阳极,形成于所述薄膜晶体管上;所述阳极连接所述薄膜晶体管;有机发光层,形成于所述阳极上;阴极,形成于所述有机发光层上;以及平滑层,形成于所述有机发光层与所述阴极之间,所述平滑层用于使得所述阴极形成平坦的表面。
根据本发明一优选实施例,所述平滑层采用Cu材料制备。
根据本发明一优选实施例,所述平滑层的厚度为0.8~1.2纳米。
根据本发明一优选实施例,所述OLED发光器件还包括增透层,所述增透层形成于所述阴极上。
根据本发明一优选实施例,所述增透层采用ZnO或TiO2中的任一种材料制备。
根据本发明一优选实施例,所述衬底为柔性基板,所述柔性基板采用聚酰亚胺材料制备。
根据本发明一优选实施例,所述有机发光层包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层。
本发明还提供一种OLED显示装置,包括OLED发光器件,以及覆盖所述OLED发光器件的封装层;其中,所述OLED发光器件包括:衬底;薄膜晶体管,形成于所述衬底上;阳极,形成于所述薄膜晶体管上;所述阳极连接所述薄膜晶体管;有机发光层,形成于所述阳极上;阴极,形成于所述有机发光层上;以及平滑层,形成于所述有机发光层与所述阴极之间。
根据本发明一优选实施例,所述平滑层采用Cu材料制备,所述平滑层的厚度为0.8~1.2纳米。
根据本发明一优选实施例,所述OLED发光器件还包括增透层,所述增透层形成于所述阴极上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的