[发明专利]一种发光二极管外延片的制作方法及其发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201810550077.4 | 申请日： | 2018-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN108987540B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;刘旺平;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制作方法 及其 | ||
1.一种发光二极管外延片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
采用化学气相沉积技术在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层和应力释放层；
在真空环境中，将经过加速的离子照射所述应力释放层的表面，降低所述应力释放层的电阻率，所述离子包括氧离子和银离子中的至少一种；
采用化学气相沉积技术在所述应力释放层上依次生长有源层和P型半导体层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述离子包括氧离子时，氧离子的辐射剂量为1011ions/cm2～1012ions/cm2。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，当所述离子包括氧离子时，氧离子的辐射能量为50MeV～150MeV。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，当所述离子包括银离子时，银离子的辐射剂量为1010ions/cm2～1013ions/cm2。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，当所述离子包括银离子时，银离子的辐射能量为150MeV～250MeV。
6.根据权利要求1～5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述真空环境的温度为20℃～100℃。
7.根据权利要求1～5任一项所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：
在对所述应力释放层的表面进行离子辐照之后，对所述应力释放层进行退火处理。
8.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、应力释放层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述应力释放层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述应力释放层的表面为离子辐照后的表面，所述离子包括氧离子和银离子中的至少一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810550077.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
