[发明专利]数据的读取方法及相关设备

说明书

本申请提供了一种数据的读取方法及相关设备，数据的读取方法，用于读取由多个存储单元组成的存储阵列中的数据，其中，存储单元用于至少存储2位数据；存储阵列包括至少2行存储单元，且每行至少包括2个存储单元；包括：利用读数电压，读取存储阵列中的当前行的存储单元中存储的数据；其中，当前行为存储阵列中的任意一行；若判断出当前行的存储单元中存储的数据不能被正常读取，则确定后一行的存储单元的偏移电压，其中，后一行为当前行的下一行；偏移电压包括所述当前行的存储单元的读数电压对应的状态下的偏移电压；利用偏移电压，对读数电压进行调整，得到调整读数电压；利用调整读数电压，读取存储阵列中的当前行的存储单元中存储的数据。

技术领域

本申请涉及数据处理技术领域，尤其涉及一种数据的读取方法及相关设备。

背景技术

NAND存储器中，用于存储数据的单元可称之为存储单元。并且，在NAND存储器的实际使用过程中，一般是由多个NAND存储器中的存储单元组成的存储阵列，来完成大量数据的读写。

其中，多个存储单元组成的存储阵列的结构如图1所示。存储阵列中，对同一行(WordLine，WL)的存储单元分别加写数电压，实现对存储单元的数据的写入。待某一行的存储单元写入数据完成，则对下一行的存储单元执行数据写入操作。目前，存储阵列中，对后一行的存储单元写入数据时施加的写数电压，会对前一行的存储单元的写数电压造成影响，导致在读取存储阵列中存储的数据时，无法完全正常读出。

发明内容

基于上述现有技术的不足，本申请提出一种数据的读取方法及相关设备，以解决现有的存储阵列写入数据的过程中，由于后一行的存储单元写入数据时施加的写数电压，对前一行的存储单元的写数电压造成影响，进而导致到无法正常读取存储阵列中存储的数据的问题。

为解决上述问题，现提出的方案如下：

一种数据的读取方法，用于读取由多个第一类型的存储单元组成的存储阵列存储的数据，其中，所述第一类型的存储单元用于至少存储2位数据；所述存储阵列包括至少2行所述存储单元，且每行至少包括2个所述存储单元；所述方法包括：

利用读数电压，读取所述存储阵列中的当前行的存储单元中存储的数据；其中，所述当前行为所述存储阵列中的任意一行；

若判断出所述当前行的存储单元中存储的数据不能被正常读取，则确定后一行的存储单元的偏移电压，其中，所述后一行为所述当前行的下一行；所述偏移电压包括所述当前行的存储单元的读数电压对应的状态下的偏移电压；

利用所述偏移电压，对所述读数电压进行调整，得到调整读数电压；

利用所述调整读数电压，读取所述存储阵列中的当前行的存储单元中存储的数据。

可选地，所述确定所述后一行的存储单元的偏移电压，包括：

从预先构建的偏移电压表中，依据所述当前行的存储单元的读数电压对应的状态，获取所述后一行的存储单元的偏移电压。

可选地，所述利用所述偏移电压，对所述读数电压进行调整，得到调整读数电压，包括：

利用在存储单元的读取电压的基础上，累计所述存储单元的读数电压对应的状态下的偏移电压的方式，计算得到所述当前行的存储单元的读数电压对应的状态下的调整读数电压。

可选地，所述利用所述调整读数电压，读取所述存储阵列中的当前行的存储单元中存储的数据，包括：

利用所述当前行的存储单元的读数电压对应的每一种状态下的调整读数电压，读取所述存储阵列中的当前行的存储单元存储的属于所述状态的数据。