[发明专利]一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法

权利要求书

1.一种改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法，包括如下步骤：

第一步，将多晶硅铸锭的原料置于多晶铸锭炉的坩埚内，关闭炉体，启动多晶铸锭炉,使坩埚内的固态原料升温并完全熔融为液态；

第二步，逐步打开坩埚外周隔热笼的开度，使熔融液从坩埚底部开始逐步长晶，当长晶高度为3-6mm，隔热笼的开度为10cm，将隔热笼的开度减小至5cm，降低长晶速度为下步的快速长晶做准备，0.5小时后快速上升隔热笼，进行快速长晶以形成一层具有细小晶花的微晶层，然后在此微晶层的基础上继续逐渐增大隔热笼的开度继续长晶直至长晶结束； 所述隔热笼开度指隔热笼向上提，与底板之间打开的距离，长晶开始前隔热笼开度为0； 本步具体长晶参数如下表，表中隔热笼的最终开度指每步长晶结束后隔热笼匀速运行达到的开度：

；

第三步，长晶结束后对晶锭进行炉内退火及冷却直至出炉。

2.根据权利要求1所述的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法，其特征在于，第一步中，多晶硅铸锭的原料投料量为850Kg，长晶后的晶锭的理论高度为365mm。

3.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法，其特征在于，第一步中，多晶硅原料熔化时的温度为：1560℃,炉内压力为600 mbar。

4.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅铸锭底部晶花的结晶方法，其特征在于， 第二步中，长晶时向炉内通入氩气，使各长晶步骤中炉内压力为600 mbar。