[发明专利]制作OLED面板的方法与OLED面板的封装结构在审
申请号: | 201810544443.5 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108766986A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 周久学;袁朝煜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明保护膜 封装结构 支撑底板 封装层 四氟乙烯 氟乙烯 制作 | ||
本发明提供一种制作OLED面板的方法与一种OLED面板的封装结构。所述方法包括:提供一支撑底板;在所述支撑底板上形成一OLED阵列层;在所述OLED阵列层上形成一四氟乙烯封装层;及在所述四氟乙烯封装层上形成一透明保护膜;其中所述透明保护膜的厚度为10‑50微米。
【技术领域】
本发明涉及有机发光二极管面板领域,特别涉及一种制作OLED面板的方法与一种OLED面板的封装结构。
【背景技术】
在平板显示技术中,有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点,逐渐成为新一代的显示技术。
激光切割在OLED面板生产过程中具有重要且广泛的应用。激光切割的效率和切割品质与OLED面板产品的厚度有密切关系。
请参照图1,图1为根据现有技术所制作的OLED面板的结构的示意图。现有技术的OLED面板制造工艺包括:在玻璃底板100上形成一柔性基板101;在柔性基板101上形成一OLED阵列层102;在一OLED阵列层102上形成一四氟乙烯(tetrafluoroethylene,TFE)封装层103;及在TFE封装层103上形成一聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)保护膜104。在现有技术的技术方案中,玻璃底板的厚度为约500微米,柔性基板101的厚度为约20微米,OLED阵列层102的厚度为约0.3微米,TFE封装层103的厚度为约5微米,PET保护膜104的厚度为约150微米。
现有技术所形成的保护膜的材质是PET。为了保证贴附质量,所形成的PET保护膜必须具有较厚的厚度,约150微米,其占整个产品需要切割厚度的1/2。因此,在后续的将大板切割形成小面板的步骤中,PET保护膜的厚度会直接影响到切割的效率,且在切割过程会产生大量的切割灰烬而影响切割品质。又,切割过程除了需要切割OLED面板的边缘外,还需要切割去除OLED面板的端子区中的PET保护膜。另外,在后续偏光片贴附步骤中,PET保护膜需要被撕除,这亦造成材料的浪费。
因此,有必要提供一种制作OLED面板的方法与一种OLED面板的封装结构,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种制作OLED面板的方法与一种OLED面板的封装结构,以解决现有技术的切割效率低、切割品质差及保护膜材料浪费的技术问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种制作OLED面板的方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供一支撑底板;
在所述支撑底板上形成一OLED阵列层;
在所述OLED阵列层上形成一四氟乙烯封装层;及
在所述四氟乙烯封装层上形成一透明保护膜;
其中所述透明保护膜的厚度为10-50微米。
根据本发明一优选实施例,所述支撑底板为一玻璃底板,及所述透明保护膜的材质是聚氯乙烯或聚甲基丙烯酸甲酯。
根据本发明一优选实施例,采用物理或化学方法将所述透明保护膜形成在所述四氟乙烯封装层上,所述物理或化学方法包括物理气象沉积、化学气象沉积、印刷或喷墨打印。
根据本发明一优选实施例,所述OLED面板包括一端子区,所述端子区具有多个端子,所述透明保护膜未被形成在所述端子区中。
根据本发明一优选实施例,在提供所述支撑底板之后,且在所述支撑底板上形成所述OLED阵列层之前,所述方法更包括以下步骤:
在所述支撑底板上形成一柔性基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的