[发明专利]一种基于共源共栅电压翻转跟随器结构的LDO有效
申请号: | 201810543863.1 | 申请日: | 2018-05-31 |
公开(公告)号: | CN108508959B | 公开(公告)日: | 2023-05-23 |
发明(设计)人: | 魏榕山;林家城;杨培祥 | 申请(专利权)人: | 福州大学 |
主分类号: | G05F1/575 | 分类号: | G05F1/575 |
代理公司: | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人: | 蔡学俊 |
地址: | 350002 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 共源共栅 电压 翻转 跟随 结构 ldo | ||
1.一种基于共源共栅电压翻转跟随器结构的LDO,其特征在于,包括MOS管M1、M2、M3、M4、M5、M6、M7、M8、M9、M10、MP、MN,第一至第四电流源,M1的第一端与M5的第一端、MP的第一端、M8的第一端、M9的第一端、M10的第一端相连接至VDD,M1的第二端与M6的控制端、M2的第一端连接,M1的控制端与M5的控制端、M9的控制端、M10的控制端、M10的第二端、M7的第二端连接,M2的第二端与M2的控制端、M3的控制端相连接,并经第一电流源连接至GND,M3的第一端与MP的第二端、MN的第二端相连接作为LDO电路的输出端,M3的第二端与MN的控制端、M4的第一端相连接,并经第二电流源、第三电流源连接至GND,M4的第二端与M5的第二端、MP的控制端连接,M4的控制端作为LDO电路的偏置电压输入端,M6的第一端与M7的第一端相连接,并经第四电流源与MN的第一端相连接至GND,M6的第二端与M8的第二端、M8的控制端、M9的第二端相连接,M7的控制端连接至基准电压源;M6、M7、M8、M9、M10、第四电流源构成跨导放大器,其中,M8、M9、M10构成跨导电流增强电路;M8、M9、M10的宽长比比例为:1:n:n+1,假设M6、M7流过的电流大小为I,则流过M8、M9、M10的电流比为:I[1/n+1]:I[n/n+1]:I;当负载发生变化时,负载由轻载突变到重载时,输出电压会产生向下的过冲,因此LDO电路的输出端的输出电压突然减小,使得M6的控制端处电压突然减小,假设此时M6电流减小为原来的一半,即0.5I,M7电流变为1.5I于是流过M8的电流增大为原来的0.5I(1/n+1),与不增加跨导电流增强电路的跨导放大器相比,跨导增强了n+1倍;同理,在负载由重载突变为轻载时,跨导增强了n+1倍;M3、M4、MP构成共源共栅电压翻转跟随器结构;还包括一快速响应环路,该快速响应环路包括第一至第七MOS管、第五电流源、电容C1,第一MOS管的第一端与第二MOS管的第一端、第三MOS管的第一端相连接至VDD,第一MOS管的第二端与第四MOS管的第二端、第四MOS管的控制端、第五MOS管的控制端相连接,第一MOS管的控制端与第二MOS管的控制端、第三MOS管的控制端相连接,第二MOS管的第二端与第五MOS管的第二端相连接至MP的控制端,第三MOS管的第二端经第五电流源连接至GND,第四MOS管的第一端与第六MOS管的第二端、第六MOS管的控制端、第七MOS管的控制端相连接,第五MOS管的第一端与第七MOS管的第二端相连接,并经C1连接至MP的第二端,第六MOS管的第一端与第七MOS管的第一端相连接至GND。
2.根据权利要求1所述的一种基于共源共栅电压翻转跟随器结构的LDO,其特征在于,MP在LDO电路中为功率管。
3.根据权利要求1所述的一种基于共源共栅电压翻转跟随器结构的LDO,其特征在于,还包括用于为LDO电路提供偏置电压、偏置电流的偏置电路。
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