[发明专利]内置自测试功能漏电保护电路及其检测方法

权利要求书

1.一种内置自测试功能漏电保护电路，与电流感应线圈连接，其特征在于：包括直流偏置电路、差分放大器、差分转单端输出运放、第一比较器、第二比较器、第三比较器、延时电路、计数/非计数模式选择电路、正常/测试模式选择电路、计数器、OSC振荡器、快速充放控制电路、数字逻辑控制电路、电源管理电路和报警驱动电路，所述直流偏置电路的输入端与电流感应线圈连接，所述直流偏置电路的输出端通过差分放大器与差分转单端输出运放的输入端连接，差分转单端输出运放的输出端与第一比较器的第一比较端连接，第一比较器的第二比较端与电源管理电路的基准电压输出端连接，所述第一比较器的输出端与延时电路连接，延时电路的输出端与第二比较器的第一比较端连接，第二比较器的第二比较端与电源管理电路的基准输出端连接，所述延时电路与快速充放控制电路电连接，第一比较器和第二比较器与电源管理电路的输出端连接，第二比较器的输出端与计数/非计数模式选择电路电连接，第二比较器的输出端还与正常/测试模式选择电路电连接，计数器使能端与计数/非计数模式选择电路电连接，数字逻辑控制电路的输出端通过OSC振荡器与计数器的输入端电连接，计数器的输出端与报警驱动电路电连接，快速充放控制电路的输出端连接第三比较器的第一输入端，第三比较器的输出端与报警驱动电路电连接，第三比较器的第二输入端为TEST端，正常/测试模式选择电路与报警驱动电路的使能端电连接；差分转单端输出运放的输出端为OA端，延时电路的输出端的输出端为DLY端，报警驱动电路的输出端为OS端，所述TEST端、OA端、DLY端和OS端分别通过各自的外接电容接地。

2.根据权利要求1所述的内置自测试功能漏电保护电路，其特征在于：所述计数/非计数模式选择电路为传输门电路结构，计数/非计数模式选择电路的DLY_OUT端口接收第二比较器的输出信号，计数/非计数模式选择电路的Cnt_en端口与计数器使能端连接，Cnt_en端口输出低电平0时，计数器处于复位状态，计数/非计数模式选择电路的控制端口sw_con和控制端口sw_conb输入信号相反，所述控制端口sw_con以及控制端口sw_conb分别与正常/测试模式选择电路电连接。

3.根据权利要求2所述的内置自测试功能漏电保护电路，其特征在于：所述正常/测试模式选择电路包括锁存电路、调理电路和触发电路，所述锁存电路的使能端与第三比较器的输出端连接，锁存电路的时钟端接收OSC振荡器电路输出的时钟信号，锁存电路的输出端通过调理电路与触发电路的第一输入端连接，触发电路的第二输入端为复位信号端，所述触发电路的第一、第二输出端输出一对相反的控制信号，所述触发电路的第一输出端与控制端口sw_con连接，所述触发电路的第二输出端与控制端口sw_conb连接。

4.根据权利要求1所述的内置自测试功能漏电保护电路，其特征在于：所述快速充放控制电路包括场效应管NMOS1、场效应管NMOS2、场效应管NMOS3、场效应管NMOS4、场效应管PMOS1、电容C1、电阻R1和电阻R2，所述场效应管PMOS1的栅极以及场效应管NMOS1的栅极均接收由延迟电路处发出的充放电控制信号，电源管理电路输出电流依次通过串联的场效应管PMOS1、电阻R1以及场效应管NMOS1接地，电阻R2的第一端与场效应管PMOS1的源极连接，电阻R2的第二端与第三比较器的输入端连接，电阻R2的第二端通过电容C1接地，场效应管NMOS2的栅极接收快速充电使能信号，场效应管NMOS3的栅极接收快速放电使能信号，所述场效应管NMOS2的漏极与电阻R2的第一端连接，所述场效应管NMOS2的源极与电阻R2的第二端连接，所述场效应管NMOS3的漏极与电阻R2的第二端连接，所述场效应管NMOS3的源极接地。