[发明专利]一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法及其应用

权利要求书

1.一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：在金属衬底上沉积硼掺杂金刚石膜以制备出硼掺杂金刚石电极，对所述硼掺杂金刚石电极进行纳米粒子修饰以得到电化学生物传感器。

2.根据权利要求1所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：采用能够被碳化的金属作为衬底材料。

3.根据权利要求2所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：所述能够被碳化的金属包括钨、钼、钛、锆、钽、铌、钒、铬中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：采用柱状金属作为衬底材料。

5.根据权利要求1所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：采用热丝化学气相沉积的方法在衬底上制备硼掺杂金刚石膜，衬底与热丝之间的角度为0-180°。

6.根据权利要求1所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：用于修饰硼掺杂金刚石电极的纳米粒子包括纳米铂、纳米金、纳米银、纳米镍中的一种或者多种。

7.根据权利要求6所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：采用纳米铂对硼掺杂金刚石电极进行修饰，具体为：将硼掺杂金刚石电极浸渍于0.1-20mmol/L的氯铂酸液中1-15min。

8.根据权利要求6所述的一种柱状硼掺杂金刚石电极传感器的制备方法，其特征在于：采用纳米银对硼掺杂金刚石电极进行修饰，具体为：将硼掺杂金刚石电极浸渍于银氨溶液中，加入还原剂，在25℃-95℃下处理30-200min。

9.一种采用如权利要求1~8任意一项柱状硼掺杂金刚石电极传感器的应用，其特征在于：将其应用于检测葡萄糖，传感器的灵敏度范围为0.1-2000μAmM^-1cm^-2，对葡萄糖的检测限范围为5×10^-3-10^-1μM。

10.一种采用如权利要求1~8任意一项柱状硼掺杂金刚石电极传感器的应用，其特征在于：将其应用于检测葡萄糖，传感器对Na₂HPO₄、KH₂PO₄、FeCl₃、Zn(NO₃)₂、CaCl₂、NiSO₄、Mg(NO₃)₂、Cu(CH₃COO)₂等无机干扰物，苯胺、对苯二酚、邻苯二酚和间苯二酚等有机干扰物以及赖氨酸、丙氨酸、甘氨酸、半胱氨酸、抗坏血酸和多巴胺等生物干扰物有抗干扰作用。