[发明专利]研磨机台及研磨方法

说明书

本发明实施例提供一种研磨机台及研磨方法。所述研磨机台包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽。

技术领域

本发明涉及车床工艺技术领域，具体而言，涉及一种研磨机台及研磨方法。

背景技术

产品应用于半导体行业中的CMP(Chemical Mechanical Polishing，中文称：化学机械抛光工艺)工艺，对于平面度要求比较高。但是现有技术中的CMP工艺不能满足需求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例的目的在于提供一种研磨机台及研磨方法。

本发明实施例提供的一种研磨机台，包括：

研磨头；

设置在所述研磨头下方的研磨台；

放置在所述研磨台上的研磨垫；以及

所述研磨垫上设置有沟槽。

可选地，所述研磨垫为圆形研磨垫。

将所述研磨垫设置成圆形，可以使用研磨垫与所述研磨台可以更好地配合。另外，在研磨过程中，研磨头一般使用旋转的方式运作，因为将所述研磨垫设置成圆形可以更好地契合所述研磨头的运作轨迹。

可选地，所述研磨垫设置有多个沟槽，每个沟槽为圆环形沟槽。

将所述沟槽设置成圆环形沟槽，可以使用沟槽与所述研磨头的运作轨迹契合，可以更好地研磨目标物。

可选地，所述圆环形沟槽的圆心与所述研磨垫的圆心位置相同。

可选地，所述研磨机台还包括研磨液供给设备，用于向所述研磨台上喷射研磨液。

可选地，所述研磨液为二氧化硅水溶液。

选取所述二氧化硅水溶液作为研磨液可以更好地与所述目标物产生摩擦，且易因为所述研磨液的颗粒导致研磨后的目标物的平面度过大。

可选地，所述研磨机台还包括：

控制设备，所述控制设备用于控制所述研磨头、研磨垫转动。

本发明实施例还提供一种研磨方法，应用于研磨机台，所述研磨机台包括：研磨头；设置在所述研磨头下方的研磨台；放置在所述研磨台上的研磨垫；以及所述研磨垫上设置有沟槽，所述方法包括：

将目标物吸附在所述研磨头上，

所述研磨头在所述研磨垫上转动；

所述研磨垫按照预设的速度转动，以所述研磨垫与所述研磨头产生相对运动，以对所述研磨头上的所述目标物进行研磨。

可选地，所述研磨机台包括控制设备，所述控制设备控制所述研磨头和研磨台转动，其中所述控制设备控制各设备的运动参数为：

控制设备控制所述研磨垫的转速为75-85rpm内的任一转速，研磨头的转速为55-65rpm内的任一转速，给所述研磨头施加的压力为 0.115-0.125Mpa内的任一压力值，研磨液流量2.3-2.7ml/s中的任一速度,研磨时间为32-37min中任意值。

可选地，所述研磨机台包括控制设备，所述控制设备控制所述研磨头和研磨台转动，其中所述控制设备控制各设备的运动参数为：所述控制设备控制所述研磨垫的转速为80rpm，研磨头的转速为60rpm，给所述研磨头施加的压力为0.12Mpa，研磨液流量2.5ml/s，研磨时间为35min。

与现有技术相比，本发明实施例的研磨机台及研磨方法，通过选取有沟槽的研磨垫，可以使用目标物能够更好地与所述研磨垫产生摩擦实现目标物的研磨，也能够使用研磨的效果更好。