[发明专利]一种测量一轴晶矿物双折射率的装置及方法

权利要求书

1.一种测量一轴晶矿物的双折射率的方法，其特征在于，所述方法采用测量一轴晶矿物双折射率的装置，所述装置包括偏光单元和干涉单元，其中所述偏光单元包括：偏光显微镜和设置于所述偏光显微镜的放置一轴晶矿物薄片的载物台下方的起偏器，所述干涉单元包括：设置于所述偏光显微镜上方的分束器、设置于所述分束器一侧的激光器、设置于所述分束器另一侧的反射镜、设置于分束器上方的线阵CCD图像传感器、与所述线阵CCD图像传感器相电接的装载有干涉条纹技术软件的计算机以及设置于所述起偏器下方且能在上下方向上移动的平面反射镜；所述偏光显微镜包括：偏光显微镜主体和设置于所述偏光显微镜主体内的检偏器，所述检偏器能够沿水平方向移动且其偏振化方向能够自由调节；所述平面反射镜通过能够伸缩的螺杆推动件与所述起偏器相接；

所述方法包括以下步骤：

S1)移除平面反射镜，开启偏光显微镜的投射照明系统，旋转偏光显微镜的载物台直至找出待测的一轴晶矿物的垂直于其光轴的切面；

S2)安装平面反射镜，调节所述平面反射镜与起偏器之间的距离直至计算机上的干涉条纹技术软件显示干涉条纹数为零，并记录此时所述平面反射镜与所述起偏器之间的距离L₁；

S3)恢复偏光显微镜的投射照明系统，旋转所述载物台直至找出待测的一轴晶矿物的平行于其光轴的切面；

S4)恢复干涉单元，调节所述平面反射镜与起偏器之间的距离直至计算机上的干涉条纹技术软件显示干涉条纹数为零，并记录此时所述平面反射镜与所述起偏器之间的距离L₂；

S5)根据记录的L₁、L₂以及待测的一轴晶矿物的薄片样品的厚度d计算得出所述一轴晶矿物的双折射率。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分束器设置成安装在所述偏光显微镜的光路的中心轴的正上方且设置成与所述中心轴和所述螺杆推动件的轴线构成的平面以及与水平面均斜交呈45°放置。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述反射镜和所述分束器之间设置有补偿器。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述激光器构造成发射的光的波长为1300nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过螺杆推动件来调节所述平面反射镜与所述起偏器之间的距离，其中，在步骤S2)中，通过所述螺杆推动件上下调节所述平面反射镜的相对位置，直至所述干涉条纹计数软件上显示干涉条纹数为零，记录此时螺杆推动件的螺杆读数Lo；以及

其中，在步骤S4)中，通过所述螺杆推动件上下调节所述平面反射镜的相对位置，直至所述干涉条纹计数软件上显示干涉条纹数为零，记录此时螺杆推动件的螺杆读数Le。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据记录的Lo、Le以及待测的一轴晶矿物的薄片样品的厚度d计算得出所述一轴晶矿物的双折射率。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，根据以下公式计算得出所述双折射率，

其中，△N为所述双折射率，|Le-Lo|为所述平面反射镜在两次测量中的相对距离差的绝对值，d为所述一轴晶矿物的薄片样品的厚度。