[发明专利]一种物联网中的小面积基准电路

说明书

本发明公开了一种应用于物联网中的小面积基准电路，包括：一启动电路，用于完成所述基准电路的启动，避免不希望的零电流状态；一电源独立偏置电路，用于产生一个正温度系数电流基准；一核心基准电路，偏置在亚阈值区域，产生核心的基准电流和基准电压，产生基准电压的精度非常高。本发明一种小面积基准电路，所有的MOS管均采用增强型MOS管，对温度变化不敏感，功耗非常低，并且由于MOSFET的亚阈值状态而具有对电源和工艺变化的高耐受性。

技术领域

本发明涉及基准电压电路领域，尤其涉及一种物联网中的小面积基准电路。

背景技术

在物联网和大多数无线通讯的应用中，相关接收电路或者发射电路等都是需要低功耗的，因此能产生低功耗的基准电路对整个应用来讲是非常关键和非常必要的。基准电路作为模拟电路的重要部分，一般需要在一个较宽的温度范围内正常工作，因此不仅要求功耗低，还需要性能稳定，有较好的温度特性。传统的方式可以采用带隙基准电路进行设计，但是其功耗相对较大，而且需要用到电阻和三极管，导致芯片面积较大。

发明内容

为克服上述现有技术存在的问题，本发明的主要目的在于提供一种应用于物联网中的小面积基准电路，所有的MOS管均采用增强型MOS管，集成温度传感器的参考电压，对温度变化不敏感，功耗非常低，并且由于MOSFET的亚阈值状态而具有对电源和工艺变化的高耐受性，适用于物联网和低成本的SoC应用。

为达上述及其它目的，本发明提供一种物联网中的小面积基准电路，其至少包括：

一启动电路，用于完成所述基准电路的启动，避免不希望的零电流状态；一电源独立偏置电路，用于产生一个正温度系数电流基准；一核心基准电路，偏置在亚阈值区域，产生核心的基准电流和基准电压，产生基准电压的精度非常高。

本发明提出了一种物联网中的小面积基准电路，包括：

所述启动电路由第一电容C1、第一增强型PMOS管PM1构成；电容C1的一端和PM1管的衬底都与电源电压VDD相连接；电容C1的另一端与PM1管的源极相连接。

所述电源独立偏置电路由第一电阻R1、第二电容C2、第二增强型PMOS管PM2、第三增强型PMOS管PM3、第四增强型PMOS管PM4、第五增强型PMOS管PM5、第一增强型NMOS管NM1、第二增强型NMOS管NM2、第三增强型NMOS管NM3和第四增强型NMOS管NM4构成；PM2管的源极和PM3管的源极与电源电压VDD相连接；PM2管的衬底与PM3管的衬底相连接并连接至VDD；PM2管的漏极与PM3管的源极相连接；PM4管的衬底与PM5管的衬底相连接并连接至VDD；PM4管的漏极与PM5管的源极相连接；PM2管的栅极与PM3管的栅极、PM4管的栅极、PM5管的栅极、PM5管的漏极、电容C2的一端、NM3管的漏级和PM1管的栅极相连接；PM3管的漏级与电阻R1的一端、NM1管的栅极、NM2管的栅极、NM3管的栅极和NM4管的栅极相连接；电阻R1的另一端与PM1管的漏极和NM1管的漏极相连接；NM1管的源极与NM2管的漏极相连接；NM3管的源极与NM4管的漏极相连接；电容C2的另一端、NM1管的衬底、NM2管的衬底、NM2管的源极、NM3管的衬底、NM4管的衬底和NM4管的源极都接地。

所述核心基准电路由第二电阻R2、第三电阻R3、第六增强型PMOS管PM6、第七增强型PMOS管PM7、第五增强型NMOS管NM5和第六增强型NMOS管NM6构成；PM6管的源极、PM6管的衬底和PM7管的衬底都与电源电压VDD相连接；PM6管的栅极与PM7管的栅极和PM1管的栅极相连接；PM6管的漏极与PM7管的源极相连接；PM7管的漏极与电阻R2的一端、NM5管的栅极和NM5管的漏极相连接；电阻R2的另一端与电阻R3的一端和NM6管的栅极相连接；NM5管的源极与NM6管的漏极相连接，其节点作为基准的输出端VREF；NM5管的衬底、NM6管的衬底、NM6管的源极和电阻R3的另一端都接地。

附图说明