[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置

说明书

本申请公开了一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置。阵列基板包括基板以及静电释放线路层，静电释放线路层设置在基板一侧的非显示区内，静电释放线路层包括围绕显示区设置的导电线路及与导电线路电连接的静电释放器件；其中，静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，静电释放单元一端连接基板边缘，另一端连接导电线路。通过将静电释放器件的截面设置为梳齿状可以解决现有的显示面板在切割的过程中容易出现膜层损坏的问题，从而提高显示面板的切割良率。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置。

背景技术

低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor，LTPS-TFT)具有载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。LTPS-TFT阵列基板的制作需经历成膜、光刻、清洗等多道工艺，涉及多种制程机台。在生产过程中，阵列基板与制程机台的摩擦接触极易导致静电积累，引起LTPS-TFT膜层静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)损伤，导致器件失效。为防止LTPS-TFT阵列基板制造过程中器件ESD损伤，常用的方案是在屏幕的显示区域外围制作金属防护线路(Guard ring),线路的两端使用重掺杂的Poly-Si作为静电释放器件，引导静电在显示区域外释放，从而实现对显示区域半导体器件的保护。

然而现有技术中静电释放器件膜层的厚度较大且与其他层的热膨胀系数不同因此会导致静电释放器件膜层与其他层之间形成应力积累；同时静电释放器件膜层结构与其他区域差别较大，从而存在台阶，当阵列基板和彩膜(Color Filter,CF)基板组立完成切割时，台阶的存在导致重掺杂Poly-Si静电释放器件所受应力较大，造成膜层破裂。

发明内容

本申请提出一种薄膜晶体管阵列基板、显示面板以及显示装置，以解决现有技术中的LTPS阵列基板切割时容易造成膜层破裂的问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提出一种薄膜晶体管阵列基板，包括：

基板，包括显示区及包围显示区的非显示区；

静电释放线路层，设置在基板一侧的非显示区内，静电释放线路层包括围绕显示区设置的导电线路及与导电线路电连接的静电释放器件；

其中，静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，静电释放单元一端连接沿述基板边缘，另一端与导电线路连接。

其中，多个静电释放单元的截面呈梳齿型。

其中，基板与静电释放线路层之间还具有缓冲层。

其中，静电释放单元的材质包括多晶硅。

其中，静电释放单元背对基板的一侧还包括依次层叠设置的栅绝缘层、层间绝缘层、间隔层以及钝化保护层。

为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提出一种一种显示面板，包括层叠设置的薄膜晶体管阵列基板和彩膜基板，其中，薄膜晶体管阵列基板包括：

基板，包括显示区及包围所述显示区的非显示区；

静电释放线路层，设置在所述基板一侧的所述非显示区内，所述静电释放线路层包括围绕所述显示区设置的导电线路及与所述导电线路电连接的静电释放器件；

其中，静电释放器件包括多个间隔设置的静电释放单元，静电释放单元一端连接沿述基板边缘，另一端与导电线路连接。

其中，多个静电释放单元的截面呈梳齿型。

其中，基板与静电释放线路层之间还具有缓冲层。