[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管显示器有效

专利信息
申请号: 201810539035.0 申请日: 2018-05-30
公开(公告)号: CN108807471B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 陈彩琴 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 代理人: 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 第二金属层 有机发光二极管显示器 透明导电层 平坦层 源矩阵 层间绝缘层 第一金属层 显示器 连接稳定性 衬底基板 凹凸面 覆盖
【说明书】:

发明提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,该显示器包括:依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;第二金属层,覆盖所述第一过孔;平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器,能够提高显示器的连接稳定性。

【技术领域】

本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示器。

【背景技术】

在有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示器中,通常阳极(Anode)采用ITO/Ag/ITO三层结构组成,由于氧化铟锡(Indiumtin oxide,ITO)具备优异的导电性能和透光特性,且具有高功函数特性,因而通过在Ag和OLED HOMO之间增加高功函数的ITO,提高空穴注入的效率。

此外,ITO高功函数的特性,还可以改善源漏极金属和IC/FPC金手指之间的接触阻抗。ITO除了高功函数的特性以外,还有较好的化学稳定性,ITO膜在经过耐酸和耐碱实验后,ITO膜能够耐受水汽的腐蚀。

对于AMOLED显示面板除了显示区域的Anode外,非显示区的IC Pad、FPC Pad、Array Full Contact测试Pad、Cell测试Pad等也需要覆盖ITO,以避免Array S/D金属制程完成后,在后段OLED和module工艺过程中遭到环境酸碱和其它高温高湿工艺的水汽的腐蚀,如图1所示,上述非显示区焊接区域(Pad)包括衬底基板11、缓冲层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、层间绝缘层16、第二金属层17、平坦层18、透明导电层19以及像素定义层20。

但是,由于上述非显示区Pad上的ITO极易脱落剥离,造成IC/FPC或者COF与Panel的接触异常,现有常见的做法在Pad区取消ITO的设计,也即不存在图1中的透明导电层19,导致金属层容易被腐蚀,降低了Pad的连接稳定性和显示器的使用寿命。

因此,有必要提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,能够提高示器的连接稳定性。

为解决上述技术问题,本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,其包括:

依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;

第二金属层,覆盖所述第一过孔;

平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;

所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。

在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器中,所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括:

第一绝缘层,位于所述衬底基板和所述第一金属层之间;

所述第一金属层上设置有至少一个第三过孔,所述第一绝缘层通过所述第三过孔与部分所述第二金属层连接。

在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器中,所述第二金属层覆盖所述第三过孔以及所述第一过孔。

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