[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管显示器有效
申请号: | 201810539035.0 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN108807471B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 陈彩琴 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 黄威<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二金属层 有机发光二极管显示器 透明导电层 平坦层 源矩阵 层间绝缘层 第一金属层 显示器 连接稳定性 衬底基板 凹凸面 覆盖 | ||
本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,该显示器包括:依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;第二金属层,覆盖所述第一过孔;平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器,能够提高显示器的连接稳定性。
【技术领域】
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有源矩阵有机发光二极管显示器。
【背景技术】
在有源矩阵有机发光二极管(Active-matrix organic light emitting diode,AMOLED)显示器中,通常阳极(Anode)采用ITO/Ag/ITO三层结构组成,由于氧化铟锡(Indiumtin oxide,ITO)具备优异的导电性能和透光特性,且具有高功函数特性,因而通过在Ag和OLED HOMO之间增加高功函数的ITO,提高空穴注入的效率。
此外,ITO高功函数的特性,还可以改善源漏极金属和IC/FPC金手指之间的接触阻抗。ITO除了高功函数的特性以外,还有较好的化学稳定性,ITO膜在经过耐酸和耐碱实验后,ITO膜能够耐受水汽的腐蚀。
对于AMOLED显示面板除了显示区域的Anode外,非显示区的IC Pad、FPC Pad、Array Full Contact测试Pad、Cell测试Pad等也需要覆盖ITO,以避免Array S/D金属制程完成后,在后段OLED和module工艺过程中遭到环境酸碱和其它高温高湿工艺的水汽的腐蚀,如图1所示,上述非显示区焊接区域(Pad)包括衬底基板11、缓冲层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、层间绝缘层16、第二金属层17、平坦层18、透明导电层19以及像素定义层20。
但是,由于上述非显示区Pad上的ITO极易脱落剥离,造成IC/FPC或者COF与Panel的接触异常,现有常见的做法在Pad区取消ITO的设计,也即不存在图1中的透明导电层19,导致金属层容易被腐蚀,降低了Pad的连接稳定性和显示器的使用寿命。
因此,有必要提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,以解决现有技术所存在的问题。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,能够提高示器的连接稳定性。
为解决上述技术问题,本发明提供一种有源矩阵有机发光二极管显示器,其包括:
依次位于衬底基板上的第一金属层、层间绝缘层;其中所述层间绝缘层上设置有第一过孔,所述第一金属层通过所述第一过孔与部分第二金属层连接;
第二金属层,覆盖所述第一过孔;
平坦层,位于所述第二金属层上,所述平坦层上形成有第二过孔;
所述透明导电层,覆盖所述第二过孔及位于部分所述平坦层上,所述透明导电层通过所述第二过孔与所述第二金属层连接;所述第二金属层与所述透明导电层的接触面为凹凸面。
在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器中,所述有源矩阵有机发光二极管显示器还包括:
第一绝缘层,位于所述衬底基板和所述第一金属层之间;
所述第一金属层上设置有至少一个第三过孔,所述第一绝缘层通过所述第三过孔与部分所述第二金属层连接。
在本发明的有源矩阵有机发光二极管显示器中,所述第二金属层覆盖所述第三过孔以及所述第一过孔。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的