[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，半导体器件包括高压侧结构与低压侧结构，其中，形成高压侧结构的方法包括：

在第一掺杂类型的衬底中形成具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型的第一阱区，所述第一阱区围绕所述衬底的第一区域；

在所述第一区域中形成具有第一掺杂类型的第一深阱区；

在所述第一深阱区中形成具有第二掺杂类型的漂移区；

在所述衬底中形成具有第二掺杂类型的埋层，所述埋层位于所述第一区域的下方，所述埋层与所述第一阱区相连，且所述埋层不与所述第一深阱区接触，所述埋层与所述第一阱区共同包围所述第一区域，所述第一阱区将所述埋层与所述衬底上表面连通，将半导体器件的高压侧结构与低压侧结构隔开；

在所述第一深阱区中形成具有第一掺杂类型的体区；

分别在所述体区和所述漂移区中形成具有第二掺杂类型的源区和漏区。

2.根据权利要求1所述的制造方法，所述方法还包括：在形成所述漂移区之前且在形成所述第一深阱区之后，在所述衬底上形成场氧化层。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中，所述方法还包括：在形成所述漂移区之后且在形成所述埋层之前，在所述第一区域上形成漏氧化层。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其中，所述方法还包括：在形成所述体区之前且在形成所述埋层之后，在所述衬底上形成栅氧化层，所述漏氧化层与所述栅氧化层相连。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述方法还包括：在形成所述栅氧化层之后，在所述漏氧化层与所述栅氧化层上形成栅极导体，所述栅极导体位于所述源区与所述漏区之间。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其中，所述方法还包括：在形成所述源区和漏区之前且在形成所述体区之后，在所述体区中形成具有第一掺杂类型的体区掺杂区，所述体区掺杂区与所述源区相连。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，所述方法还包括：在形成所述体区掺杂区之后，在所述栅极导体两端的侧壁上形成侧墙。

8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，所述高压侧结构与所述低压侧结构共用衬底与栅氧化层。

9.根据权利要求1-8任一所述的制造方法，其中，所述第一掺杂类型为选自N型和P型之一，所述第二掺杂类型为N型和P型的另一种。

10.根据权利要求9所述的制造方法，还包括在所述衬底上形成NMOS结构、PMOS结构以及至少包括第二掺杂类型的第二阱区的MOS结构中的一种或者组合；其中，所述MOS结构还包括：第二P阱区、第三高压漏氧化层、栅氧化层、第五栅极导体、第五体区掺杂区、第五源区以及第五漏区；

所述第二阱区位于所述衬底中，所述第二P阱区、所述第五体区掺杂区、第五源区均位于所述第二阱区中，第五漏区位于所述第二P阱区中；

所述栅氧化层位于所述衬底上，所述第三高压漏氧化层位于所述第二P阱区上并与所述栅氧化层相连，所述第五栅极导体位于所述第三高压漏氧化层与所述栅氧化层上。

11.根据权利要求10所述的制造方法，其中，所述NMOS结构、所述PMOS结构以及所述至少包括第二掺杂类型的第二阱区的MOS结构中的至少一个具有形成于所述衬底中的第二掺杂类型的第二阱区，

所述第一阱区和所述第二阱区同步形成。