[发明专利]字线电压控制器及控制电路

说明书

本发明涉及一种字线电压控制器，涉及半导体集成电路，包括：一控制电路，所述控制电路连接一电压源，以检测所述电压源的电压，并接收一时钟信号CLK，输出一控制信号，所述控制信号包括第一电平和第二电平；以及一升压变换器，连接所述控制电路，以接收所述控制电路输出的所述控制信号，其中第一电平的所述控制信号控制所述升压变换器工作以对所述电压源充电，第二电平的所述控制信号控制所述升压变换器不对所述电压源充电，以提高静态随机存取存储器的可靠性。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路，尤其涉及一种静态随机存取存储器的字线电压控制器。

背景技术

在半导体集成电路中，静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)被广泛使用在集成电路的芯片(system on a chip,SoC)和处理器的高速缓存上。请参阅图1，图1为静态随机存取存储器的典型电路结构示意图。如图1所示，静态随机存取存储器由M1、M2组成的反相器、M3、M4组成的反相器以及晶体管M5、M6组成，M1、M2、M3和M4构成锁存器，通过控制字线WL及位线BL和位线BLB完成对静态随机存取存储器的“读取”和“写入”的工作。

然而，静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)内任何器件的不良均能降低静态随机存取存储器的最低电压Vmin，进而降低静态随机存取存储器“读取”和“写入”的能力。

发明内容

本发明的目的在于提供一种字线电压控制器，以在低压状态下提高静态随机存取存储器的控制能力，提高静态随机存取存储器的最低电压Vmin；在高压时也不会使静态随机存取存储器内的晶体管M5、M6的闸极电介质受压过高，而提高其可靠性。

本发明提供的字线电压控制器，包括：一控制电路，所述控制电路连接一电压源，以检测所述电压源的电压，并接收一时钟信号CLK，输出一控制信号，所述控制信号包括第一电平和第二电平；以及一升压变换器，连接所述控制电路，以接收所述控制电路输出的所述控制信号，其中第一电平的所述控制信号控制所述升压变换器工作以对所述电压源充电，第二电平的所述控制信号控制所述升压变换器不对所述电压源充电。

更进一步地，时钟信号CLK为低电平时，所示控制信号控制所示升压变换器不对所示电压源充电或对所述电压源充电，时钟信号CLK为高电平时，所示控制信号保持前一时刻的时钟信号CLK为低电平时的控制信号的状态。