[发明专利]半导体器件及其制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。在半导体器件的制造过程中，通过在器件上形成金属焊盘，并在金属焊盘上形成键合标记。这些键合标记就可以作为引线键合过程中，需要键合连接的位置的标记，可以通过键合标记确定器件上需要与外部结构连接的具体位置，使得引线键合中引线在器件上的键合位置可以确定，提高引线键合的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体器件及其制备方法。

背景技术

芯片等半导体器件在封装过程中，需要经过引线键合操作，将器件与引线框架通过引线连接起来。但在引线键合时，无法确定器件上需要连接的具体位置。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，可以解决上述问题。

本发明提供的技术方案如下：

一种半导体器件的制备方法，，该方法包括：

提供一晶圆；

在所述晶圆一侧制作多个金属焊盘；

在至少一个所述金属焊盘远离所述晶圆的一侧，制作一个或多个键合标记，形成具有键合标记的金属焊盘。

进一步地，在所述晶圆一侧制作多个金属焊盘的步骤包括：

在所述晶圆一侧制作第一掩膜层；

去除与所述金属焊盘的位置对应的第一掩膜层；

在所述晶圆制作所述第一掩膜层的一侧制作第一金属层，所述第一金属层包括位于所述晶圆一侧与所述金属焊盘对应的第一部分和位于所述第一掩膜层远离所述晶圆一侧的第二部分，所述第一部分形成所述金属焊盘。

进一步地，在所述晶圆一侧制作第一掩膜层的步骤包括：

在所述晶圆一侧涂布剥离胶层；

在所述剥离胶层远离所述晶圆的一侧涂布光刻胶层，以使所述剥离胶层和所述光刻胶层形成所述第一掩膜层。

进一步地，去除与所述金属焊盘的位置对应的第一掩膜层的步骤包括：

对所述晶圆涂布所述剥离胶层和光刻胶层的一侧进行曝光；

对曝光后的晶圆进行显影，去除与所述金属焊盘的位置对应的剥离胶层和光刻胶层，其中，与每个所述金属焊盘的位置被去除的所述剥离胶层的面积大于被去除的所述光刻胶层的面积。

进一步地，在所述晶圆制作所述第一掩膜层的一侧制作第一金属层的步骤包括：

在所述光刻胶层远离所述剥离胶层的一侧制作所述第一金属层，其中，所述第一金属层位于所述晶圆一侧与所述金属焊盘对应的部分形成所述第一部分，所述第一金属层位于所述光刻胶层远离所述剥离胶层一侧的部分形成所述第二部分。

进一步地，制作一个或多个键合标记，形成具有键合标记的金属焊盘的步骤包括：

去除所述晶圆一侧的剥离胶层、光刻胶层；

去除所述第一金属层位于所述光刻胶层远离所述剥离胶层一侧的部分；

去除所述第一部分远离所述晶圆一侧表面的部分材料，形成具有键合标记的外接电路点。

进一步地，所述第一金属层的厚度小于所述剥离胶层的厚度。

进一步地，在至少一个所述金属焊盘的远离所述晶圆的一侧，制作一个或多个键合标记的步骤包括：

在所述晶圆设置有所述金属焊盘的一侧制作第二金属层；

在所述第二金属层远离所述晶圆的一侧形成图案化的第二掩膜层；