[发明专利]一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法有效
申请号: | 201810535341.7 | 申请日: | 2018-05-30 |
公开(公告)号: | CN109000790B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 张紫菡 | 申请(专利权)人: | 金华紫芯科技有限公司 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 321015 浙江省金华市金*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 柔性 紫外 火焰 探测器 及其 制备 方法 | ||
本发明公开了一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法,由α‑Ga2O3纳米柱阵列、非晶SiC薄膜、玻璃纤维布衬底以及Ti/Au薄膜电极组成,所述α‑Ga2O3纳米柱阵列与非晶SiC薄膜之间形成异质结,形成内建电场,可分离光生载流子;所述α‑Ga2O3纳米柱阵列位于非晶SiC薄膜上方,所述非晶SiC薄膜位于玻璃纤维布衬底上方;Ti/Au薄膜电极为两个,分别位于α‑Ga2O3纳米柱阵列和非晶SiC薄膜上方,其中Au薄膜位于Ti薄膜的上方。该探测器为MSSM型Ti/Au/α‑Ga2O3/SiC/Ti/Au异质结纳米阵列柔性日盲紫外火焰探测器件。该异质结器件在‑5V偏压下,可探测200‑280nm的日盲紫外光,可弯曲和折叠,并且性能稳定,在可穿戴设备、智能纺织品和室外火焰探测等领域具有很大的应用前景。
技术领域
本发明属于光电探测器技术领域,具体涉及一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法。
技术背景
氧化镓是一种宽禁带深紫外半导体材料,具有日盲特性,可以检测200-280nm的紫外光,而对太阳光中的紫外线没有响应,将这类材料用于室外高压线电晕、紫外光通讯和火灾监测等领域具有极大的优势,而不受太阳光的干扰。由于氧化镓薄膜通常需要在高温下合成,其紫外光电探测器件都是在刚性衬底上生长,比如硅片、蓝宝石和石英衬底等,这些器件都无法弯曲,限制了器件的应用范围。而目前大部分的柔性衬底都是高分子类化合物,无法承受高温,因此,急需寻找一种耐高温的柔性衬底作为制作氧化镓柔性器件的基底。
到目前为止,很少有关于柔性日盲紫外光电探测器的报道,虽有中国专利CN201710012296.2报道基于柔性氧化镓纳米带的日盲紫外光电探测器,但是此类探测器是将事先合成的氧化镓纳米带转移到柔性基底上,具有电极制作难度大,稳定性差,与基底贴合不牢固等缺点。
发明内容
本发明的目的在于提供一种灵敏度高、探测能力强、氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器及其制备方法。
为了解决上述技术问题,本发明提供的技术方案为:
一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器,其特征在于,由α-Ga2O3纳米柱阵列、非晶SiC薄膜、玻璃纤维布衬底以及Ti/Au薄膜电极组成,所述α-Ga2O3纳米柱阵列与非晶SiC薄膜之间形成异质结,形成内建电场,可分离光生载流子;所述α-Ga2O3纳米柱阵列位于非晶SiC薄膜上方,所述非晶SiC薄膜位于玻璃纤维布衬底上方;Ti/Au薄膜电极为两个,分别位于α-Ga2O3纳米柱阵列和非晶SiC薄膜上方,其中Au薄膜位于Ti薄膜的上方。
所述非晶SiC薄膜厚度为0.5-1.0μm,α-Ga2O3纳米柱的直径为50-100nm,高度为300-500nm。
所述α-Ga2O3纳米柱阵列的分布面积小于非晶SiC薄膜的面积,位于非晶SiC薄膜上方的Ti/Au薄膜电极与α-Ga2O3纳米柱阵列位于非晶SiC薄膜的同一侧。
本发明的技术方案还包括,一种氧化镓基柔性日盲紫外火焰探测器的制备方法,包括如下步骤:
步骤一,对玻璃纤维布衬底进行清洗,清洗过程如下:将衬底依次浸泡到丙酮、乙醇、去离子水中各超声10分钟,取出后再用去离子水冲洗,最后用干燥的N2气吹干,待用;
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