[发明专利]电力变换单元的驱动电路及驱动方法、电力变换单元以及电力变换装置有效

专利信息
申请号: 201810531410.7 申请日: 2018-05-29
公开(公告)号: CN109088531B 公开(公告)日: 2021-09-21
发明(设计)人: 三间彬;森和久;松元大辅;上妻央;大沼直人 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所
主分类号: H02M1/088 分类号: H02M1/088
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 俞丹;张鑫
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电力 变换 单元 驱动 电路 方法 以及 装置
【权利要求书】:

1.一种电力变换单元的驱动电路,其设置在利用半导体开关元件进行电力变换的电力变换单元中,对所述半导体开关元件进行驱动,其特征在于,

具备电压可变电路部,用于输出要施加给所述半导体开关元件的控制用的驱动电压,

当多个所述电力变换单元并联连接时,在所述电压可变电路部中,基于表示所述半导体开关元件各自的导通时间与所述驱动电压之间的关系的特性映射信息,对所述驱动电压进行可变控制,使得所述半导体开关元件各自的所述导通时间一致,

所述半导体开关元件为IGBT,所述驱动电压为栅极电源电压,所述导通时间为所述半导体开关元件的栅极电压开始上升的时间点到所述半导体开关元件的主电流开始上升的时间点为止的时间。

2.如权利要求1所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

所述特性映射信息表示相对于所述导通时间变化的所述驱动电压的变化。

3.如权利要求2所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

所述特性映射信息由以所述驱动电压及所述导通时间为变量的函数给出。

4.如权利要求1所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

并联连接的各电力变换单元中的各半导体开关元件并联连接。

5.如权利要求1所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

具备记录所述特性映射信息的记录机构。

6.如权利要求1所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

所述特性映射信息登录于数据库中。

7.如权利要求1所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

所述半导体开关元件包含于上下桥臂中的某一方中。

8.如权利要求1或7所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

还具备相应于所述驱动电压来控制栅极电阻的电阻值的电路部。

9.如权利要求1所述的电力变换单元的驱动电路,其特征在于,

所述特性映射信息包括所述导通时间的温度依赖性的相关信息,

基于所述特性映射信息及所述半导体开关元件的温度检测值,对所述驱动电压进行可变控制,使得所述半导体开关元件各自的所述导通时间一致。

10.一种电力变换单元的驱动方法,其对半导体开关元件施加控制用的驱动电压,驱动所述半导体开关元件,从而进行电力变换,其特征在于,

在多个所述电力变换单元并联连接时,基于表示所述半导体开关元件各自的导通时间与所述驱动电压之间的关系的特性映射信息,设定所述驱动电压的值,使得所述半导体开关元件各自的所述导通时间一致,

所述半导体开关元件为IGBT,所述驱动电压为栅极电源电压,所述导通时间为所述半导体开关元件的栅极电压开始上升的时间点到所述半导体开关元件的主电流开始上升的时间点为止的时间。

11.一种电力变换单元,其具备:

半导体开关元件、以及

驱动所述半导体开关元件的驱动电路,

利用所述半导体开关元件进行电力变换,

所述电力变换单元的特征在于,

所述驱动电路具备电压可变电路部,用于输出要施加给所述半导体开关元件的控制用的驱动电压,

当多个所述电力变换单元并联连接时,在所述电压可变电路部中,基于表示所述半导体开关元件各自的导通时间与所述驱动电压之间的关系的特性映射信息,对所述驱动电压进行可变控制,使得所述半导体开关元件各自的所述导通时间一致,

所述半导体开关元件为IGBT,所述驱动电压为栅极电源电压,所述导通时间为所述半导体开关元件的栅极电压开始上升的时间点到所述半导体开关元件的主电流开始上升的时间点为止的时间。

12.一种电力变换装置,其由多个电力变换单元并联连接而构成,其中,所述电力变换单元具备半导体开关元件以及驱动所述半导体开关元件的驱动电路,所述电力变换装置的特征在于,具备:

电压可变电路部,其设置于多个所述驱动电路的各驱动电路中,用于输出要施加给所述半导体开关元件的控制用的驱动电压,以及

通用控制部,其针对多个所述电压可变电路部的各电压可变电路部,生成用于设定所述驱动电压的值的目标指令,

所述通用控制部基于表示多个所述半导体开关元件各自的导通时间与所述驱动电压之间的关系的特性映射信息,生成所述目标指令,使得所述半导体开关元件各自的所述导通时间一致,

所述半导体开关元件为IGBT,所述驱动电压为栅极电源电压,所述导通时间为所述半导体开关元件的栅极电压开始上升的时间点到所述半导体开关元件的主电流开始上升的时间点为止的时间。

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