[发明专利]离子注入装置及离子注入方法

权利要求书

1.一种离子注入装置，其特征在于，具备：

离子源，构成为生成包含第1非放射性核种的离子的离子束；

射束线，构成为支承由包含与所述第1非放射性核种不同的第2非放射性核种的固体材料形成的离子束被照射体；及

控制装置，构成为运算通过所述第1非放射性核种与所述第2非放射性核种的核反应而产生的放射线的推断线量与放射性核种的推断生成量中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，

所述第1非放射性核种为¹¹B或¹⁰B，所述第2非放射性核种为¹²C，所述放射线为中子束，所述放射性核种为²²Na或²¹Na。

3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

还具备加速器，该加速器能够将通过所述离子源生成的所述离子束加速为至少4MeV的超高能量。

4.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置具备：

核反应率运算部，根据包含所述离子束的能量及每单位时间的照射量的离子束照射条件与所述离子束被照射体的被照射区域中的所述第2非放射性核种的原子数密度，运算推断核反应率；及

放射线量运算部，根据所述推断核反应率运算所述放射线的推断线量。

5.根据权利要求4所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置具备放射性核种生成量运算部，该放射性核种生成量运算部根据所述推断核反应率运算所述放射性核种的推断生成量。

6.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述控制装置构成为如下，即，在所述放射线的推断线量超过规定的上限线量时和/或所述放射性核种的推断生成量超过规定的上限值时，显示警告和/或禁止向所述离子束被照射体的离子束照射。

7.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具备母材及支承于母材的被照射区域，所述被照射区域由包含原子序数大于所述第2非放射性核种的元素的固体材料形成。

8.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具有位于互不相同的位置的多个被照射区域，

所述控制装置构成为以使所述放射线的推断线量低于规定的上限线量的方式，从所述多个被照射区域选择任意一个的被照射区域，

所述射束线具备相对位置调整机构，其构成为以使所述第1非放射性核种的离子入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置。

9.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具有位于互不相同的位置的多个被照射区域，

所述控制装置构成为以使所述放射性核种的推断生成量低于规定的上限值的方式，从所述多个被照射区域选择任意一个的被照射区域，

所述射束线具备相对位置调整机构，其构成为以使所述第1非放射性核种的离子入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置。

10.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，

所述离子束被照射体具有：第1被照射区域，由包含所述第2非放射性核种的第1固体材料形成；及第2被照射区域，由以比第1固体材料低的浓度包含所述第2非放射性核种或不包含所述第2非放射性核种的第2固体材料形成，

所述控制装置构成为如下，即，所述离子束的能量位于第1能量区域时选择所述第1被照射区域，所述离子束的能量位于比所述第1能量区域高的第2能量区域时选择所述第2被照射区域，

所述射束线具备相对位置调整机构，其构成为以使所述第1非放射性核种的离子入射到所选择的所述被照射区域的方式，调整所述离子束被照射体与所述离子束之间的相对位置。