[发明专利]鳍式场效应晶体管结构的形成方法有效
| 申请号： | 201810527816.8 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108847393B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 曾绍海;李铭;陈张发 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;张磊 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 结构 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上依次淀积介质层和硬掩模层；
步骤S02：在硬掩模层上淀积二氧化硅层；
步骤S03：图形化二氧化硅层，形成第一鳍部；
步骤S04：以氢气为还原剂，将第一鳍部的二氧化硅材料还原为单质硅，形成第二鳍部；其中，所述还原时的温度为1000℃～1300℃，时间为20s～60s，所述氢气的流量为3sccm～10sccm；
步骤S05：去除第二鳍部下方以外区域的硬掩模层和介质层材料；
步骤S06：在第二鳍部的顶部和侧壁形成横跨第二鳍部的栅极结构。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，步骤S03中，形成第一鳍部的方法包括：
在二氧化硅层表面涂布光刻胶，并通过光刻、显影图形化光刻胶；
以图形化的光刻胶为掩模，刻蚀二氧化硅层；
去除剩余的光刻胶，形成材料为二氧化硅的第一鳍部。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，根据设计所需的第二鳍部的高度和宽度尺寸，并根据二氧化硅与硅之间的还原体积比关系，确定所需的第一鳍部对应的高度和宽度尺寸。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述介质层为二氧化硅。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述硬掩模层为氮化硅。
7.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述介质层厚度为5nm～20nm，所述二氧化硅层厚度为30nm～100nm，所述硬掩模层厚度为5nm～20nm。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管结构的形成方法，其特征在于，所述栅极结构包括栅介质层和栅电极。
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