[发明专利]一种横向绝缘栅型光电导开关及其制作方法

权利要求书

1.一种横向绝缘栅型光电导开关，其特征在于：包括半绝缘衬底（8），在半绝缘衬底（8）的下表面上依次制作有重n型掺杂区II（9）和阳极（10），在该半绝缘衬底（8）的上方制作有电触发区域（11），电触发区域的上方制作有绝缘层（3），绝缘层（3）的两端分别制作有阴极（1），阴极（1）与电触发区域（11）的上端接触，绝缘层（3）的上表面中心处制作有栅极（2），在半绝缘衬底（8）的激光（12）入射侧的对侧安装有全反射镜（13），所述电触发区域（11）包括制作在半绝缘衬底（8）上表面的轻n型掺杂区（7），轻n型掺杂区（7）的上表面两端分别由下到上依次制作有重p型掺杂区（6）和轻p型掺杂区（5），重p型掺杂区（6）和轻p型掺杂区（5）的上表面制作有重n型掺杂区I（4），其中重n型掺杂区I（4）上方包括绝缘层（3）和阴极（1），轻p型掺杂区（5）上方包括绝缘层（3）和重n型掺杂区I（4），重p型掺杂区（6）上方为重n型掺杂区I（4）和阴极（1），轻n型掺杂区（7）上表面中部为绝缘层（3），所述栅极（2）与阴极（1）之间采用电隔离。

2.根据权利要求1所述的一种横向绝缘栅型光电导开关，其特征在于：所述重p型掺杂区（6）、轻p型掺杂区（5）、轻n型掺杂区（7）的浓度和厚度参数要确保轻n型掺杂区（7）和重p型掺杂区（6）、轻p型掺杂区（5）之间形成的反向pn结的空间电荷区随偏置电压的增大而先扩展到的半绝缘衬底（8）一侧，而不是先扩展到重n型掺杂区I（4）。

3.根据权利要求1所述的一种横向绝缘栅型光电导开关，其特征在于：所述轻n型掺杂区（7）和重p型掺杂区（6）、轻p型掺杂区（5）之间形成的反向pn结的空间电荷区穿通电压阈值为光电导开关的额定直流偏置电压的0.01-0.5倍。

4.一种制作如权利要求1-3任一项所述的光电导开关的方法，其特征在于：具体包括如下步骤：

步骤1，在半绝缘衬底（8）上外延生长轻n型掺杂区（7）；

步骤2，在外延轻n型掺杂区（7）的上表面，通过光刻开窗形成重p型掺

杂区（6）；

步骤3，在外延轻n型掺杂区（7）的上表面，通过光刻开窗形成轻p型掺

杂区（5）；

步骤4，在轻p型掺杂区（5）和重p型掺杂区（6）的上表面，通过光刻开窗形成重n型掺杂区I（4），使得重n型掺杂区I（4）、轻p型掺杂区（5）、重p型掺杂区（6）和轻n型掺杂区（7）形成n型导电沟道的MISFET结构；

步骤5，在轻n型掺杂区（7）、轻p型掺杂区（5）及重n型掺杂区I（4）上表面，通过光刻开窗制作绝缘层（3），在绝缘层（3）上制作栅极（2）；

步骤6，在重p型掺杂区（6）和重n型掺杂区I（4）上表面制作阴极（1）；

步骤7，在半绝缘衬底（8）的下表面制作重n型掺杂区II（9），在重n型掺杂区II（9）下方制作阳极（10）。