[发明专利]晶圆吸盘及其工作方法在审
申请号: | 201810520713.9 | 申请日: | 2018-05-28 |
公开(公告)号: | CN108766926A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 张朝前;马砚忠;李少雷;陈鲁 | 申请(专利权)人: | 深圳中科飞测科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518107 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 晶圆吸盘 吸附面 盘体 定位件 凹口 吸盘 相对位置关系 半导体结构 侧壁 吸附 种晶 检测 加工 | ||
1.一种晶圆吸盘,其特征在于,包括:
盘体,所述盘体包括吸附面,所述吸附面用于吸附晶圆,所述晶圆侧壁中具有凹口;
连接所述盘体的第一定位件,所述第一定位件用于定位晶圆凹口的位置。
2.如权利要求1所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述第一定位件包括:卡紧部,所述卡紧部用于部分或全部卡入所述凹口中。
3.如权利要求2所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述卡紧部为柱体,所述卡紧部的侧面包括:用于接触晶圆的卡紧前面;连接所述卡紧前面的两个卡紧侧面。
4.如权利要求2所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述凹口的结构符合SEMI标准;
所述卡紧前面为平面;所述卡紧前面与所述卡紧侧面之间的夹角为120°~150°,所述卡紧前面在垂直于所述卡紧部母线方向的尺寸为1.8mm~2.2mm,所述卡紧部沿垂直于所述卡紧前面方向上的尺寸为1.8mm~2.2mm;或者,所述卡紧前面为圆弧面,所述卡紧前面的半径为1.1mm~0.9mm,所述卡紧部沿垂直于所述卡紧前面方向上的最大尺寸为1mm~1.25mm。
5.如权利要求2所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述第一定位件还包括:连接所述盘体的腹板,所述腹板适于全部或部分凸出于所述吸附面表面,所述卡紧部设置于所述腹板侧壁表面;分别连接所述腹板相对的两侧壁的两翼缘,两个翼缘分别位于所述腹板中心与卡紧部中心连线的两侧。
6.如权利要求5所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述腹板在平行于两翼缘排列方向上的尺寸为1.8mm~2.2mm;所述翼缘的厚度为1.35mm~1.65mm;所述翼缘在平行于两翼缘排列方向上的尺寸为6mm~7mm。
7.如权利要求2或3所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述第一定位件中具有缓冲槽,所述缓冲槽沿所述腹板至所述卡紧部的方向贯穿所述腹板和卡紧部;当所述第一定位件还包括两翼缘时,所述两个翼缘分别位于所述缓冲槽两侧。
8.如权利要求7所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述缓冲槽的宽度为0.9mm~1.1mm;所述缓冲槽底部腹板的厚度为1.35mm~1.65mm。
9.如权利要求1或2所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述盘体中具有第一滑槽,所述第一滑槽为条型;所述第一定位件部分位于所述第一滑槽中,所述第一定位件用于在所述第一滑槽中移动。
10.如权利要求9所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述第一滑槽为条型,所述第一定位件用于沿所述第一滑槽延伸方向移动,所述第一滑槽延伸方向过所述吸附面中心。
11.如权利要求1所述的晶圆吸盘,其特征在于,所述盘体中具有第一定位孔,所述第一定位件部分位于所述第一定位孔中;
或者,所述第一定位件与所述盘体固定连接。
12.如权利要求1所述的晶圆吸盘,其特征在于,通过第一定位件固定晶圆之后,所述第一定位件中心与吸附面中心之间的连线为定位线,所述凹口与晶圆中心之间的连线为晶圆线;所述第一定位件用于使所述定位线与晶圆线之间具有固定夹角,所述固定夹角大于或等于零。
13.如权利要求1所述的晶圆吸盘,其特征在于,还包括:连接所述盘体的第一限位件,所述第一限位件的个数为一个或多个。
14.如权利要求13所述的晶圆吸盘,其特征在于,当所述第一限位件的个数为一个时,所述第一限位件与所述第一定位件连线经过所述吸附面的中心;
当所述第一限位件的个数为多个时,至少有两个第一限位件的中心以及第一定位件的中心位置构成三角形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳中科飞测科技有限公司,未经深圳中科飞测科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810520713.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种对位装置及对位平台
- 下一篇:一种半导体芯片生产工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造