[发明专利]图像传感器及其形成方法在审
| 申请号： | 201810516829.5 | 申请日： | 2018-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN108807438A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 林宗德;李晓明;郭裕东;何延强;杨龙康;彭琬婷;何玉坤;黄仁德 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 223302 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 浅沟槽隔离 衬底 图像传感器 半导体 覆盖层 图像传感器区 隔离层 表面粗糙度 非晶态材料 覆盖层材料 凹槽侧壁 表面状态 暗电流 减小 暴露 | ||
1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底包括图像传感器区；
在所述图像传感器区中形成浅沟槽隔离凹槽；
在所述浅沟槽隔离凹槽侧壁和底部形成覆盖层，所述覆盖层的材料为非晶态材料；
形成覆盖层后，在所述浅沟槽隔离凹槽内形成隔离层。
2.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的材料包括：非晶硅、非晶锗或者非晶硅锗。
3.根据权利要求2所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述当所述覆盖层的材料为非晶硅时，所述覆盖层的形成工艺包括：炉管工艺。
4.根据权利要求3所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的形成方法包括：在所述半导体衬底和浅沟槽隔离凹槽中通入温度为500摄氏度～700摄氏度的SiH4气体。
5.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述覆盖层的厚度为40埃～50埃。
6.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述覆盖层后，形成隔离层前，还包括：对所述覆盖层进行氧化处理，形成接触隔离层；所述隔离层位于接触隔离层表面。
7.根据权利要求6所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述接触隔离层的形成方法还包括：对与覆盖层相接触的部分半导体衬底进行氧化处理，形成所述接触隔离层。
8.根据权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述接触隔离层的厚度大于覆盖层的厚度。
9.根据权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述接触隔离层的厚度为80埃～100埃。
10.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述接触隔离层的形成工艺包括：快速热氧化工艺。
11.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述接触隔离层的材料包括氧化硅。
12.根据权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离凹槽的形成方法包括：在所述半导体衬底表面形成初始第一掩膜层和位于初始第一掩膜层表面的初始第二掩膜层；在所述初始第二掩膜层表面形成图像化层，所述图形化层暴露出部分所述半导体衬底；以所述图形化层为掩膜，刻蚀所述初始第一掩膜层和初始第二掩膜层，直至暴露出半导体衬底表面，形成位于半导体衬底表面的第一掩膜层和位于第一掩膜层表面的第二掩膜层；以所述第一掩膜层和第二掩膜层为掩膜，对所述半导体衬底进行刻蚀，形成所述浅沟槽凹槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
