[发明专利]具有冷却表面的半导体芯片封装体及其制造方法在审
申请号: | 201810516744.7 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108962863A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | L·陈;G·德拉罗策;W·H·顾;T·S·李;T·施特克;J·Y·王 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L21/56 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 周家新 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 第二表面 半导体芯片 第一表面 金属板 半导体芯片封装 导电载体 机械连接 冷却表面 外围处 暴露 制造 | ||
1.一种半导体芯片封装体,包括:
导电载体;
设置在所述导电载体之上的半导体芯片,其中,所述半导体芯片具有面向所述导电载体的第一表面和与所述第一表面相反的第二表面;以及
金属板,其具有机械连接到半导体芯片的所述第二表面的第一表面和与金属板的所述第一表面相反的第二表面,
其中,所述金属板完全重叠半导体芯片的所述第二表面,
其中,金属板的所述第二表面至少部分地在所述半导体芯片封装体的外围处暴露。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片封装体,其中,所述半导体芯片包括布置在半导体芯片的所述第一表面处的第一负载电极,其中,所述第一负载电极机械连接并且电连接到所述导电载体,其中,所述导电载体形成所述半导体芯片封装体的第一外部端子。
3.根据权利要求2所述的半导体芯片封装体,其中,所述半导体芯片包括布置在半导体芯片的所述第二表面处的第二负载电极,其中,所述第二负载电极机械连接并且电连接到金属板的所述第一表面。
4.根据权利要求3所述的半导体芯片封装体,其中,所述金属板电连接到所述半导体芯片封装体的第二外部端子,其中,所述第一外部端子和所述第二外部端子形成引线框架的相应部分。
5.根据权利要求2所述的半导体芯片封装体,其中,所述半导体芯片包括布置在半导体芯片的所述第一表面处的第二负载电极,其中,所述第二负载电极机械连接并且电连接到所述半导体芯片封装体的第二外部端子,其中,所述第一外部端子和所述第二外部端子形成引线框架的相应部分。
6.根据权利要求4所述的半导体芯片封装体,其中,所述半导体芯片包括布置在半导体芯片的所述第一表面处的控制电极,其中,所述控制电极机械连接并且电连接到所述半导体芯片封装体的第三外部端子,其中,所述第一外部端子、所述第二外部端子和所述第三外部端子形成引线框架的相应部分。
7.根据权利要求1所述的半导体芯片封装体,其中,所述金属板具有在金属板的所述第一与第二表面之间测量的厚度,所述厚度等于或大于所述导电载体的厚度的1.0、1.25、1.5、1.75或2.0倍。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片封装体,其中,所述金属板具有在金属板的所述第一与第二表面之间测量的厚度,所述厚度等于或大于0.2mm、0.3mm、0.4mm、0.5mm、0.6mm、0.7mm、或0.8mm。
9.根据权利要求1所述的半导体芯片封装体,其中,所述金属板的暴露的第二表面的面积尺寸等于或大于20mm2、25mm2、30mm2或35mm2。
10.根据权利要求1所述的半导体芯片封装体,其中,所述半导体芯片封装体还包括:
嵌埋所述导电载体、所述半导体芯片和所述金属板的包封物,
其中,所述金属板的暴露的第二表面的面积尺寸与由所述包封物的轮廓限定的面积尺寸的比率等于或大于0.7、0.8、0.85或0.9。
11.根据权利要求10所述的半导体芯片封装体,其中,所述包封物的框架部分覆盖所述金属板的至少一个侧面,其中,所述框架部分的宽度等于或小于0.5mm、0.4mm、0.3mm、0.2mm或0.1mm。
12.根据权利要求10所述的半导体芯片封装体,其中,所述包封物的表面与所述金属板的暴露的第二表面齐平。
13.根据权利要求1所述的半导体芯片封装体,其中,所述半导体芯片封装体还包括:
嵌埋所述导电载体和所述半导体芯片的包封物,
其中,所述金属板的所有侧面都从包封物中暴露出。
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