[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件在审

申请号：	201810515878.7	申请日：	2018-05-25
公开（公告）号：	CN108682691A	公开（公告）日：	2018-10-19
发明（设计）人：	游步东;王猛;喻慧;杜益成;彭川	申请（专利权）人：	矽力杰半导体技术（杭州）有限公司
主分类号：	H01L29/78	分类号：	H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	310012 浙江省杭州市西湖区文三路90***	国省代码：	浙江;33
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摘要：
搜索关键词：	半导体器件横向扩散金属氧化物半导体器件沟道减小导通电阻横向扩散扩散抑制栅极导体栅介质层短沟道耐压区漂移区阻碍体体区制造
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【说明书】：

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件，使体区在栅介质层和栅极导体形成之前形成，从而有利于减小所述半导体器件的沟道长度，降低导通电阻，且使漂移区既用作耐压区，又作为阻碍体区横向扩散的扩散抑制区，可进一步减小所述半导体器件的沟道长度，实现短沟道半导体器件。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件。

背景技术

在现有的横向扩散金属氧化物半导体器件100如图1所示，其一般包括P型衬底PSUB，位于P型衬底PSUB中的高压N型阱区HVNW，P型体区Pbody和N型漂移区N-drift均形成于高压N型阱区HVNW中，源极区N+与漏极区N+分别形成于P型体区Pbody和N型漂移区N-drift中，体接触区P+也形成于体区Pbody中并与源极区N+相接触，且在半导体器件100的表面，还设置有与源极区相邻的栅介质层(图中未标记)以及位于栅介质层和漏极区之间的厚氧层Oxide，栅极导体poly覆盖所述栅介质层并延伸至厚氧层Oxide上。

现有的形成半导体器件100的方法通常为，先在半导体衬衬底PSUB和阱区HVNW构成的基层表面一次形成栅介质层和栅极导体Poly，然后再利用栅极导体Ploy做自对准，并利用横向扩散在阱区HVNW中形成体区Pbody，然后再形成漂移区N-drift。这种制造方法形成的半导体器件100由于体区Pbody的横向扩散比较严重，使得沟道交长，以至于低压应用下，沟道电阻较大，器件的导通电阻和耐压性的优化受限。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法及半导体器件，以降低所述半导体器件的沟道，同时优化导通电阻和耐压性能。

一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在基层中形成第一掺杂类型的漂移区，

在所述基层中形成具有第二掺杂类型的体区，所述漂移区阻碍所述体区向所述漂移区方向的横向扩散，

形成所述体区后，在所述基层的第一表面上形成栅介质层和栅极导体。

优选地，所述体区与所述漂移区相接触或所述体区的至少部分位于所述漂移区中。

优选地，所述漂移区由所述横向扩散金属氧化物半导体器件的漏极区域这一侧延伸至所述横向扩散金属氧化物半导体器件的源极区域这一侧，

在位于所述横向扩散金属氧化物半导体器件的源极区域这一侧的漂移区中，注入第二掺杂类型的掺杂剂，以形成位于所述漂移区中的所述体区。

优选地，所述的制造方法还包括在半导体衬底中形成具有第一掺杂类型的阱区，

所述基层包括所述半导体衬底和所述阱区，所述漂移区和体区均形成于所述阱区中。

优选地，所述的制造方法还包括在所述基层的第一表面上形成场氧化层。