[发明专利]一种静电保护电路

权利要求书

1.一种静电保护电路，其特征在于，包括：

一二极管保护电路，由第一二极管D1和第二二极管D2组成，用于提供泄流通路；

一高压产生电路，由第一NMOS管NM1、第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2组成，用于给泄放管的栅极提供更高的驱动电压；

一检测电路，由第一电阻R1和第一电容C1组成，用于检测是否发生静电事件；

一缓存电路，由第一反相器INV1和第二反相器INV2组成，用于给泄放管提供驱动；

一延时电路，由第三NMOS管NM3和第三PMOS管PM3组成，用于增加泄放静电的时间；

一泄放电路，由第二NMOS晶体管NM2组成，用于泄放主要的静电电流。

2.如权利要求1所述的一种静电保护电路，其特征在于，所述二极管保护电路，芯片引脚端、PM2管的漏极、二极管D1的正极、二极管D2的负极和内部电路的输入端连接在一起，该点标记为VA点，二极管D1的负极和VDD相连，二极管D2的正极和地相连。

3.如权利要求1所述的一种静电保护电路，其特征在于，所述高压产生电路，PM2管的漏极和VA点相连，PM2管的源极和PM1管的源极相连并标记为VDDH，PM2管的栅极、INV2的输出端、PM1管的栅极和NM1管的栅极相连接在一起，该点标记为VB，PM1管的漏极和NM1管的漏极相连接，NM1管的源极接地。

4.如权利要求1所述的一种静电保护电路，其特征在于，所述的检测电路，第一电容C1和第一电阻R1串联，串联的点作为检测电路的输出端，该点标记为VD，电容C1的另外一端和地连接，电阻R1的另外一端和电源VDD连接。

5.如权利要求1所述的一种静电保护电路，其特征在于，所述缓存电路，检测电路的输出端和第一反相器INV1的输入端相连在一起，第一反相器INV1的输出端和第二反相器INV2的输入端连接。

6.如权利要求1所述的一种静电保护电路，其特征在于，所述延时电路，NM3管的栅极接VDD，NM3管的漏极接PM1管的漏极，NM3管的源极、PM3管的漏极与NM2管的栅极相连，该点标记为VC点，PM3管的源极接VA点，PM3管的栅极接VD点。

7.如权利要求1所述的一种静电保护电路，其特征在于，所述泄放电路，第二NMOS管NM2源极和地连接，NM2管的漏极和VDD连接，NM2管的栅极连接至VC点。