[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种包括场效应晶体管(FET)的半导体器件，所述场效应晶体管包括；

鳍结构，所述鳍结构从隔离绝缘层突出，所述鳍结构包括沟道区和源极/漏极区，所述源极/漏极区设置为邻近所述沟道区；以及

栅电极，设置在所述沟道区上方，其中：

所述沟道区由Si制成，以及

源极/漏极外延层，设置在所述源极/漏极区上方，其中，所述外延层包括掺杂有Ga的SiGe、掺杂有Ga的GeSn和掺杂有Ga的SiGeSn中的至少一种，

源极/漏极接触件，接触所述源极/漏极外延层和所述隔离绝缘层，其中，所述源极/漏极接触件的部分设置在所述隔离绝缘层和介电层之间，所述介电层设置在所述鳍结构和相邻的鳍结构之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述场效应晶体管是p型场效应晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极外延层包括掺杂有Ga的Si_1-x-yGe_xSn_y，其中，0.6≤x＜1.0。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，Ga的浓度在从1×10¹⁸个原子/cm³至1×10²²个原子/cm³的范围内。

5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述源极/漏极外延层进一步掺杂有硼或铟。

6.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，Ga的浓度从所述外延层的外表面向所述外延层内部减小。

7.一种包括鳍式场效应晶体管(FinFET)的半导体器件，包括：

p型鳍式场效应晶体管，包括第一鳍结构、第一源极/漏极结构和与所述第一源极/漏极结构接触的第一源极/漏极接触件；

n型鳍式场效应晶体管，包括第二鳍结构、第二源极/漏极结构和与所述第二源极/漏极结构接触的第二源极/漏极接触件，其中：

所述第一源极/漏极结构和所述第二源极/漏极结构中的至少一个包括第一外延层，其中，所述第一外延层包括掺杂有Ga的SiGe、掺杂有Ga的GeSn和掺杂有Ga的SiGeSn中的至少一种，

介电层，将所述第一源极/漏极结构与所述第二源极/漏极结构分离，

隔离绝缘层，设置在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构之间，并且所述第一鳍结构和所述第二鳍结构从所述隔离绝缘层突出；

其中，所述第一源极/漏极接触件的第一部分和所述第二源极/漏极接触件的第二部分设置在所述隔离绝缘层和介电层之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第一源极/漏极结构包括所述第一外延层。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一外延层包括掺杂有Ga的Si_1-xGe_x，其中，0.6≤x1.0。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一外延层包括掺杂有Ga的Si_1-x-yGe_xSn_y，其中，0.6≤x1.0，0y0.4且1-x-y不为零。

11.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，Ga的浓度在从1×10¹⁸个原子/cm³至1×10²²个原子/cm³的范围内。

12.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一外延层进一步掺杂有选自由硼和铟构成的组中的一种。