[发明专利]MOCVD系统及其清理方法

权利要求书

1.一种MOCVD系统，其特征在于，包括分开设置的反应装置及加热装置，所述反应装置包括盖体，所述盖体上设置有喷淋用出源孔，所述盖体表面和/或所述出源孔内在反应过程中附着有堵塞物，所述加热装置加热所述盖体而使得所述堵塞物呈熔融状态，所述加热装置包括容纳热媒体的第一容纳腔，所述第一容纳腔与所述盖体之间通过加热循环管路连通，所述热媒体于所述加热循环管路内循环流动而加热所述盖体。

2.根据权利要求1所述的MOCVD系统，其特征在于，所述MOCVD系统还包括用于调控所述盖体反应温度的控温装置及控制单元，所述控温装置包括容纳控温媒体的第二容纳腔，所述第二容纳腔与所述盖体之间通过控温循环管路连通，所述控温媒体于所述控温循环管路内循环流动而调节所述盖体的温度，所述控制单元用于控制所述加热循环管路及所述控温循环管路之间的切换。

3.根据权利要求2所述的MOCVD系统，其特征在于，所述加热循环管路包括连通所述第一容纳腔的第一输出加热管路、第一输入加热管路以及连通所述盖体的第二输出加热管路、第二输入加热管路，所述控温循环管路包括连通所述第二容纳腔的第一输出控温管路、第一输入控温管路以及连通所述盖体的第二输出控温管路、第二输入控温管路，所述第二输出加热管路与所述第二输出控温管路一体化为盖体输出管路，所述第二输入加热管路与所述第二输入控温管路一体化为盖体输入管路，所述MOCVD系统还包括分别连接所述盖体输出管路及所述盖体输入管路的第一开关及第二开关，当所述MOCVD系统处于反应过程时，所述控制单元控制所述第一开关连通所述第一输出控温管路，且所述第二开关连通所述第一输入控温管路，当所述MOCVD系统处于清理过程时，所述控制单元控制所述第一开关连通所述第一输出加热管路，且所述第二开关连通所述第一输入加热管路。

4.根据权利要求2所述的MOCVD系统，其特征在于，所述盖体包括第一盖体、第二盖体及位于所述第一盖体及所述第二盖体之间的隔热层，所述第二盖体包括所述出源孔，所述加热装置用于加热所述第二盖体。

5.根据权利要求2所述的MOCVD系统，其特征在于，所述加热装置的加热范围为80℃～300℃，所述控温装置的控温范围为20℃～100℃。

6.根据权利要求1所述的MOCVD系统，其特征在于，所述MOCVD系统还包括清理装置，所述清理装置为吹式清理装置或吸式清理装置，所述吹式清理装置用于清理拆卸下来且堵塞物呈熔融状态的盖体，所述吸式清理装置用于清理保持在所述反应装置中且堵塞物呈熔融状态的盖体。

7.一种MOCVD系统清理方法，其特征在于，所述MOCVD系统包括分开设置的反应装置及加热装置，反应装置包括盖体，所述盖体上设置有喷淋用出源孔，所述清理方法包括步骤：

加热所述盖体，使得所述盖体表面和/或所述出源孔内的堵塞物呈熔融状态；

清理所述堵塞物。

8.根据权利要求7所述的MOCVD系统清理方法，其特征在于，步骤“加热所述盖体，使得所述盖体表面和/或所述出源孔内的堵塞物呈熔融状态”具体包括：

检测所述MOCVD系统的当前状态；

当当前状态为反应状态时，开启控温循环管路而将所述盖体温度调控至反应温度；

当当前状态为清理状态时，开启加热循环管路而使得所述盖体表面和/或所述出源孔内的堵塞物呈熔融状态。

9.根据权利要求7所述的MOCVD系统清理方法，其特征在于，步骤“清理所述堵塞物”具体包括：

判断所述盖体的加热方式；

若所述盖体拆卸下来并通过加热箱或加热循环管路加热，则吹出堵塞物；

若所述盖体未拆卸并通过加热循环管路加热，则吸出堵塞物。