[发明专利]一种钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法在审
申请号: | 201810514627.7 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN108531884A | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 杨亚锋;朱庆山;张磊;吕鹏鹏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院过程工程研究所 |
主分类号: | C23C16/442 | 分类号: | C23C16/442;C23C16/14 |
代理公司: | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人: | 陈琳琳;张红生 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合硬质合金 粉体 流化床 陶瓷基 钴包覆 制备 卤化物蒸气 氩气 钴源 加热 大规模工业化生产 粉末冶金过程 化学气相沉积 流化床反应器 混合气体 均匀致密 流化气体 氢气发生 陶瓷粉体 氢气 合金化 卤化物 包覆 可控 偏析 载气 载入 | ||
1.一种钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:
流化床反应器加热到反应温度,将陶瓷粉体加入流化床中,流化气体为氩气与氢气的混合气体;以钴卤化物为钴源,钴源加热为钴卤化物蒸气,钴卤化物蒸气以另一路氩气为载气,载入流化床中,与流化床中氢气发生化学气相沉积反应,得到钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体。
2.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,陶瓷粉体为碳化钨、碳化钛和碳化钽中的一种或几种。
3.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,钴卤化物为氟化钴、氯化钴、溴化钴和碘化钴中的一种。
4.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,陶瓷粉体的粒度范围为0.1-1000μm。
5.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,钴卤化物纯度为98%-99.9999%。
6.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,化学气相沉积反应温度为500~1000℃,化学气相沉积反应时间为5~300min。
7.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,钴卤化物加热温度为500~1000℃。
8.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,流化气体的气速为0.05~1m/s,其中两种气体的体积比应控制在氩气:氢气=(1~10):1。
9.根据权利要求1所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,钴卤化物蒸气携带气体氩气气速为0.001~0.2m/s。
10.根据权利要求1-9任一项所述的钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体的制备方法,其特征在于,钴包覆陶瓷基复合硬质合金粉体中钴包覆量的质量百分数为0.1%~20%。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的