[发明专利]接触探针

说明书

本发明提供一种当在高温环境下收缩、解放弹簧部时，也提升弹簧部的耐热性的接触探针。本发明的接触探针具有Ni‑P层，且P的浓度根据Ni‑P层的厚度方向的位置而不同。优选在Ni‑P层的厚度方向上，从Ni‑P层的内侧起依次具有第1部分及第2部分，且第2部分的P的浓度比第1部分低。

技术领域

本发明涉及一种用于半导体集成电路等检验体的检查的接触探针。

背景技术

通常，为了评价使用半导体元件的集成电路(Integrated Circuit，IC)或大规模集成电路(Large Scale Integrated circuit，LSI)、平板显示器(Flat Panel Display，FPD)等电子零件的电特性，而进行通电检查、绝缘检查等检查。此通电检查是使用具有许多接触探针的检查装置，使接触探针与半导体集成电路等检验体的电极接触来进行。在检验体的小型化、高密度化、高性能化发展之际，在检查时弹性地接触检验体的接触探针也需要细径化。

例如，在专利文献1中记载有如下的方法：通过镀覆而在芯材的外周上形成镀金层后，通过电铸而在所形成的镀金层的外周上形成Ni电铸层，在Ni电铸层的外周上形成抗蚀剂层后，利用激光进行曝光而在抗蚀剂层上形成螺旋状的槽条，将抗蚀剂层作为遮蔽材料进行蚀刻，去除在抗蚀剂层上形成有螺旋状的槽条的部分的Ni电铸层，并去除抗蚀剂层，并且将Ni电铸层经去除的螺旋状的槽条部分的镀金层去除，在将镀金层残留在Ni电铸层的内周的状态下仅去除芯材来制造具备电铸制的弹簧结构的通电检查夹具用接触件。根据此制造方法，可精度更高且更精密地制造具备电铸制的弹簧结构的极细、壁薄的通电检查夹具用接触件。

现有技术文献

专利文献

专利文献1日本专利第4572303号公报

发明内容

发明所要解决的问题

但是，检查有时在120℃以上这一高温环境下进行，在如专利文献1中所记载的结构的接触探针中存在如下的问题：在检查时使接触探针的弹簧部收缩来弹性地接触检验体，当解放了收缩状态时弹簧部不恢复成原来的形状而维持收缩的状态，弹簧部遭受塑性变形，即在弹簧部的长度中产生迟滞现象(塑性变形)。

本发明是鉴于所述情况而成者，其目的在于提供一种当在高温环境下收缩、解放弹簧部时，也减轻弹簧部的塑性变形，即提升耐热性的接触探针。

解决问题的技术手段

可解决所述课题的本发明的接触探针：具有Ni-P层，且P的浓度根据Ni-P层的厚度方向的位置而不同。

在所述接触探针中，优选在Ni-P层的厚度方向上，从Ni-P层的内侧起依次具有第1部分及第2部分，且第2部分的P的浓度比第1部分低。

在所述接触探针中，优选在Ni-P层的厚度方向上，从Ni-P层的内侧起依次具有第1部分、第2部分、及第3部分，且第2部分的P的浓度比第1部分及第3部分低。

在所述接触探针中，优选在Ni-P层的厚度方向上，从Ni-P层的内侧起依次具有第1部分、第2部分、第3部分、第4部分及第5部分，且第2部分及第4部分的P的浓度比第1部分、第3部分及第5部分低。

在所述接触探针中，优选第1部分的P的平均浓度为1.0质量％以上且5.0质量％以下。

在所述接触探针中，优选第2部分位于与Ni-P层的最内侧相距Ni-P层的厚度的1/4以上的位置上，且第2部分的P的平均浓度为0.5质量％以上且5.0质量％以下。

在所述接触探针中，优选Ni-P层的规定部位的厚度方向上的P的最大浓度为厚度方向上的P的最小浓度的1.2倍以上。