[发明专利]一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管

权利要求书

1.一种新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：自下而上排列的半绝缘衬底(1)、氮化铝成核层(2)、氮化镓缓冲层(3)和铝镓氮势垒层(4)；

其中，

所述铝镓氮势垒层(4)上有源极帽层(5)和漏极帽层(6)，所述源极帽层(5)上表面为源电极(7)，所述漏极帽层(6)的表面为漏电极(8)；

所述源电极(7)和漏电极(8)之间，且靠近源电极(7)端设置有栅电极(9)；

所述源极帽层(5)和漏极帽层(6)之间设置有高栅(10)，其上表面比底面高出5nm，所述源电极(7)和栅电极(9)间的正下方与氮化镓缓冲层(3)上表面，形成具有凹陷形成的左凹陷区域(11)，所述漏电极(8)和栅电极(9)间的正下方与氮化镓缓冲层(3)上表面形成具有凹陷形成的右凹陷区域(12)。

2.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述晶体的宽度为6.5μm，所述源电极(7)、漏电极(8)与栅电极(9)之间的凹陷深度为5nm。

3.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源电极(7)、漏电极(8)、栅电极(9)的电极宽度均为1μm。

4.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述铝镓氮势垒层(4)的左凹陷区域(11)宽度为1.5μm，右凹陷区域(12)宽度为2μm。

5.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，在所述氮化镓缓冲层(3)的上方，所述左凹陷区域(11)距离晶体管的左边界1μm，该凹陷的宽度为1μm，深度为3nm。

6.根据权利要求4所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述右凹陷区域(12)的右侧距离晶体管的右边界1.5μm，凹陷宽度为1μm，深度为3nm。

7.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述源电极(7)到所述氮化镓缓冲层(3)的垂直距离为20nm。

8.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述栅电极(9)到所述氮化镓缓冲层(3)的垂直距离为25nm。

9.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述漏电极(8)到所述氮化镓缓冲层(3)的垂直距离为20nm。

10.根据权利要求1所述的新型微波氮化镓高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述氮化镓缓冲层(3)的厚度为3μm。