[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在衬底基板上依次形成有源层、第一栅绝缘层和第一栅极，所述有源层由低温多晶硅或微晶硅构成；

在形成有所述第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层包括沿远离所述有源层的方向设置的第一子绝缘层和第二子绝缘层，所述第一子绝缘层的氢含量大于所述第二子绝缘层的氢含量，所述第二子绝缘层和所述第一子绝缘层之间的厚度比在1：0.5到1：2之间；

所述第一子绝缘层的氢含量沿远离所述有源层的方向递减，所述第一子绝缘层和所述第一栅绝缘层的交界面处的氢含量最高；

在形成有所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成凹槽，所述凹槽的底部位于所述第一栅绝缘层中，所述凹槽在所述衬底基板上的正投影位于所述有源层的周围；

将形成有所述凹槽的衬底基板设置在氢气氛围中，以对所述有源层进行氢化。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层，包括：

在形成有所述第一栅极的衬底基板上以第一沉积速度沉积形成所述第一子绝缘层，并增加所述第一子绝缘层的氢含量；

以第二沉积速度沉积形成所述第二子绝缘层，所述第二沉积速度小于所述第一沉积速度。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层进行氢化处理之前，所述方法还包括：

在形成有所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成第二栅极；

在形成有所述第二栅极的衬底基板上形成源漏极过孔，所述有源层在所述源漏极过孔中露出。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述有源层进行氢化处理之前，所述方法还包括：

在形成有所述第二栅绝缘层的衬底基板上形成第二栅极；

在形成有所述第二栅极的衬底基板上涂布硅基有机材料层；

对所述硅基有机材料层进行烘烤；

将所述硅基有机材料层处理为中间介电层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一栅极的衬底基板上形成第二栅绝缘层，包括：

通过灰度掩模工艺在形成有所述第一栅极的衬底基板上形成所述第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层包括第一区域和第二区域，所述第一区域的厚度大于所述第二区域的厚度，所述有源层位于所述第一区域在所述衬底基板上的正投影中，所述第二区域为所述第二栅绝缘层中除所述第一区域外的区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二栅绝缘层在每个子像素之间还设置有沟槽。

7.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1至6任一所述方法制造成的阵列基板。

8.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括权利要求7所述的阵列基板。