[发明专利]氟化物荧光体及其制造方法、以及发光装置

权利要求书

1.一种氟化物荧光体，其含有具有下述式(I)所示组成的粒子，并且，

在红外吸收光谱中，由下述式(P)表示的IR峰面积比Z¹低于2.0×10^-3，

A₂[M_1-aMn⁴⁺_aF₆] (I)

式中，A表示选自K⁺、Li⁺、Na⁺、Rb⁺、Cs⁺及NH₄⁺中的至少1种阳离子，M表示选自IVB族元素及IVA族元素中的至少1种元素，a满足0.04＜a＜0.20，

Z¹＝(3500cm^-1以上且3800cm^-1以下的峰面积)/(1050cm^-1以上且1350cm^-1以下的峰面积) (P)，

所述具有上述式(I)所示组成的粒子是通过下述方法制造的，该方法包括：

准备至少包含含有4价锰的第一络离子和氟化氢的第一溶液、至少含有选自K⁺、Li⁺、Na⁺、Rb⁺、Cs⁺及NH₄⁺中且包括K⁺在内的至少1种阳离子和氟化氢的第二溶液、以及至少包含含有选自IVB族元素及IVA族元素中的至少1种元素和氟离子的第二络离子的第三溶液，

其中，所述第一溶液的锰源浓度为0.01质量％以上且50质量％以下，所述第二溶液的阳离子源浓度为5质量％以上且80质量％以下，所述第三溶液的第二络离子源浓度为5质量％以上且80质量％以下；

将准备好的第一溶液及第三溶液以各自所准备液量的0.1体积％以下的每分钟滴加量分别滴加到所准备的第二溶液中，得到具有上述式(I)所示组成的粒子。

2.如权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，

所述IR峰面积比Z¹低于1.0×10^-3。

3.如权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，

所述IR峰面积比Z¹为1.0×10^-5以上。

4.如权利要求1所述的氟化物荧光体，其中，

式(I)中的A含有K⁺，M含有Si。

5.如权利要求1所述的氟化物荧光体，其荧光的内量子效率为80％以上。

6.一种发光装置，其包含：

发出380nm以上且485nm以下波长范围的光的光源；

第一荧光体，其含有权利要求1所述的氟化物荧光体；

第二荧光体，其吸收380nm以上且485nm以下波长范围的光，且在495nm以上且590nm以下的波长范围具有最大发光波长。

7.如权利要求6所述的发光装置，其中，

所述第二荧光体为选自下述中的至少1种：β塞隆荧光体、卤硅酸盐荧光体、硅酸盐荧光体、稀土类铝酸盐荧光体、及硫化物荧光体。