[发明专利]可变存储容量的单次可编程存储器在审
| 申请号： | 201810506756.1 | 申请日： | 2018-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110534149A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 苗英豪;王富中 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/18 | 分类号： | G11C17/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储单元 良率 烧录 单次可编程存储器 可变存储容量 控制电路 配置地址 芯片 备选 存储容量 制造成本 地址位 配置 | ||
【权利要求书】：
1.一种可变存储容量的单次可编程存储器，其特征在于，包括：
多个存储单元和多个地址位；
控制电路，用于根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系。
2.如权利要求1所述的可变存储容量的单次可编程存储器，其特征在于，每个存储单元包括至少两个可烧录子单元。
3.如权利要求1所述的可变存储容量的单次可编程存储器，其特征在于，当烧录良率高于预设阈值，控制电路配置为一个地址位对应一个存储单元。
4.如权利要求1所述的可变存储容量的单次可编程存储器，其特征在于，当烧录良率未知或低于预设阈值，控制电路配置为一个地址位对应至少两个存储单元。
5.如权利要求1所述的可变存储容量的单次可编程存储器，其特征在于，所述单次可编程存储器为电介质击穿型单次可编程存储器。
6.如权利要求5所述的可变存储容量的单次可编程存储器，其特征在于，所述电介质击穿型单次可编程存储器包括熔丝型单次可编程存储器和反熔丝型单次可编程存储器。
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