[发明专利]图像传感器及其形成方法

权利要求书

1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底分为第一区域和第二区域，所述第一区域和第二区域的半导体衬底内分别形成有光电器件，所述第一区域的光电器件吸收的光的波长大于所述第二区域的光电器件吸收的光的波长；

刻蚀所述半导体衬底形成台阶状表面，所述第一区域的半导体衬底表面高于所述第二区域的半导体衬底表面；

在所述台阶状表面上形成介质层；

在所述介质层上形成平坦化层，所述平坦化层与所述第一区域的半导体衬底上的介质层齐平；

在所述平坦化层和第一区域的半导体衬底上的介质层上形成底部抗反射涂层；

依次刻蚀所述平坦化层、介质层和半导体衬底，在所述平坦化层、介质层和半导体衬底内形成浅沟槽；

在所述半导体衬底内的浅沟槽侧壁和底部形成氧化层；

在所述浅沟槽内填满绝缘介质；

去除所述平坦化层和部分绝缘介质。

2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第二区域分为第一第二区域和第二第二区域，所述第一第二区域的光电器件吸收的光的波长大于所述第二第二区域的光电器件吸收的光的波长；所述台阶状表面从高至低依次包括第一区域的半导体衬底表面、第一第二区域的半导体衬底表面和第二第二区域的半导体衬底表面。

3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为氮化硅。

4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成所述介质层之前，还包括：在所述台阶状表面形成衬垫氧化层。

5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述台阶状表面的高度差为0.1μm～0.4μm。

6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述台阶状表面的斜面与底面的夹角为30°～60°。

7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述平坦化层的材料为旋涂玻璃或正硅酸乙酯，或者，所述平坦化层为旋涂玻璃和正硅酸乙酯的叠层。

8.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，在形成底部抗反射涂层之前，还包括：在所述平坦化层和第一区域的半导体衬底上的介质层表面形成硬掩膜层。

9.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，去除所述平坦化层和部分绝缘介质后，还包括：

去除所述介质层；

在所述半导体衬底上及所述半导体衬底内形成器件结构；

在所述器件结构上形成层间介质层，在所述层间介质层内形成导电结构。

10.如权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，采用退火工艺去除所述介质层。