[发明专利]图像传感器及其形成方法有效
申请号: | 201810505082.3 | 申请日: | 2018-05-24 |
公开(公告)号: | CN108878464B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 何延强;林宗德;黄仁德 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供半导体衬底,所述半导体衬底分为若干区域,其中,各区域的半导体衬底内分别形成有光电器件;
刻蚀所述半导体衬底,以使所述半导体衬底的各区域分别具有凸出表面,所述凸出表面与所述光电器件对应;
在具有凸出表面的半导体衬底上形成介质层;
在所述介质层上形成平坦化层,所述平坦化层与所述凸出表面上的介质层齐平;
在所述平坦化层和介质层上形成底部抗反射涂层;
依次刻蚀所述平坦化层、介质层和半导体衬底,在所述平坦化层、介质层和半导体衬底内形成浅沟槽;
在所述半导体衬底内的浅沟槽侧壁和底部形成氧化层;
在所述浅沟槽内填满绝缘介质;
去除所述平坦化层和部分绝缘介质,形成隔离所述光电器件的浅沟槽隔离结构;
去除所述介质层,在所述半导体衬底上及所述半导体衬底内形成器件结构;
在所述半导体衬底上形成反射层,所述反射层暴露出所述浅沟槽隔离结构和器件结构。
2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述反射层的材料为金属或有机材料。
3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述反射层的厚度范围为100埃~1000埃。
4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,在形成所述介质层之前,还包括:在具有凸出表面的半导体衬底上形成衬垫氧化层。
5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸出表面的高度小于或等于3000埃。
6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸出表面的侧视截面呈圆弧形、梯形或长方形。
7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸出表面的侧视截面呈梯形,其斜面与底面的夹角为30°~60°。
8.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述平坦化层的材料为旋涂玻璃或正硅酸乙酯,或者,所述平坦化层为旋涂玻璃和正硅酸乙酯的叠层。
9.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,在形成底部抗反射涂层之前,还包括:在所述平坦化层和介质层表面形成硬掩膜层。
10.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:
在所述反射层、浅沟槽隔离结构和器件结构上形成层间介质层,在所述层间介质层内形成导电结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的