[发明专利]图像传感器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 201810505082.3 申请日: 2018-05-24
公开(公告)号: CN108878464B 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 何延强;林宗德;黄仁德 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市一法律师事务所 11654 代理人: 刘荣娟
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 图像传感器 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:

提供半导体衬底,所述半导体衬底分为若干区域,其中,各区域的半导体衬底内分别形成有光电器件;

刻蚀所述半导体衬底,以使所述半导体衬底的各区域分别具有凸出表面,所述凸出表面与所述光电器件对应;

在具有凸出表面的半导体衬底上形成介质层;

在所述介质层上形成平坦化层,所述平坦化层与所述凸出表面上的介质层齐平;

在所述平坦化层和介质层上形成底部抗反射涂层;

依次刻蚀所述平坦化层、介质层和半导体衬底,在所述平坦化层、介质层和半导体衬底内形成浅沟槽;

在所述半导体衬底内的浅沟槽侧壁和底部形成氧化层;

在所述浅沟槽内填满绝缘介质;

去除所述平坦化层和部分绝缘介质,形成隔离所述光电器件的浅沟槽隔离结构;

去除所述介质层,在所述半导体衬底上及所述半导体衬底内形成器件结构;

在所述半导体衬底上形成反射层,所述反射层暴露出所述浅沟槽隔离结构和器件结构。

2.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述反射层的材料为金属或有机材料。

3.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述反射层的厚度范围为100埃~1000埃。

4.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,在形成所述介质层之前,还包括:在具有凸出表面的半导体衬底上形成衬垫氧化层。

5.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸出表面的高度小于或等于3000埃。

6.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸出表面的侧视截面呈圆弧形、梯形或长方形。

7.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸出表面的侧视截面呈梯形,其斜面与底面的夹角为30°~60°。

8.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,所述平坦化层的材料为旋涂玻璃或正硅酸乙酯,或者,所述平坦化层为旋涂玻璃和正硅酸乙酯的叠层。

9.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,在形成底部抗反射涂层之前,还包括:在所述平坦化层和介质层表面形成硬掩膜层。

10.如权利要求1所述的图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:

在所述反射层、浅沟槽隔离结构和器件结构上形成层间介质层,在所述层间介质层内形成导电结构。

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